规格：MSL MSL 1 -无限制,
NEXPERIA
单晶体管 双极, NPN, 100 V, 110 MHz, 600 mW, 4.5 A, 40 hFE
(EN)
NEXPERIA
单晶体管 双极, PNP, -60 V, 150 MHz, 390 mW, -2.7 A, 300 hFE
(EN)NEXPERIA
单晶体管 双极, NPN, 60 V, 220 MHz, 270 mW, 1 A, 400 hFE
(EN)
NEXPERIA
单晶体管 双极, NPN, 40 V, 130 MHz, 1.35 W, 5 A, 100 hFE
(EN)
NEXPERIA
晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 10 kohm, 10 kohm
(EN)
NEXPERIA
晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
(EN)
VISHAY
双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 430 mA, 8 V, 0.5 ohm, 4.5 V, 4.5 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 530 mA, 20 V, 0.35 ohm, 4.5 V, 1 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, 6 A, -30 V, 0.025 ohm, -10 V, -3 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -60 A, -30 V, 0.0021 ohm, -10 V, -2.3 V
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -50 A, -30 V, 0.0042 ohm, -10 V, -2.5 V
(EN)VISHAY
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 25 A, 30 V, 0.0076 ohm, 10 V, 2.5 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -18 A, -30 V, 0.0076 ohm, -10 V, -2.5 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -45 A, -30 V, 0.0072 ohm, -10 V, -2.5 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -110 A, -60 V, 0.0065 ohm, -10 V, -3 V
(EN)
TEXAS INSTRUMENTS
双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, SOIC
(EN)
DIODES INC.
单晶体管 双极, PNP, 12 V, 300 MHz, 300 mW, 500 mA, 270 hFE
(EN)
DIODES INC.
单晶体管 双极, PNP, 12 V, 180 MHz, 900 mW, 1.5 A, 270 hFE
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, PNP, 12 V, 180 MHz, 900 mW, 1.5 A, 270 hFE
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, PNP, 30 V, 200 MHz, 900 mW, 1.5 A, 270 hFE
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, PNP, 30 V, 200 MHz, 900 mW, 1.5 A, 270 hFE
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, NPN, 12 V, 260 MHz, 300 mW, 500 mA, 270 hFE
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, NPN, 30 V, 270 MHz, 300 mW, 500 mA, 270 hFE
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, NPN, 12 V, 170 MHz, 900 mW, 1 A, 270 hFE
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, NPN, 12 V, 170 MHz, 900 mW, 1.5 A, 270 hFE
(EN)
