规格：MSL MSL 1 -无限制,
ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, 数字式, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 10 kohm
(EN)ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, 数字式, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm
(EN)ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, 数字式, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
(EN)ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, 数字式, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
(EN)ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, 数字式, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
(EN)ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, 数字式, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 10 kohm
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
(EN)ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
(EN)ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, 数字式, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
(EN)ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, 数字式, 单路NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 1 kohm
(EN)ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, 数字式, 单路NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm
(EN)ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 单路NPN, 50 V, 500 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率
(EN)
DIODES INC.
单晶体管 双极, POWERDI?5, NPN, 60 V, 130 MHz, 3.2 W, 6 A, 200 hFE
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, POWERDI?5, NPN, 100 V, 130 MHz, 3.2 W, 6 A, 230 hFE
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, POWERDI?5, PNP, -140 V, 120 MHz, 3.2 W, -4 A, 225 hFE
(EN)
DIODES INC.
单晶体管 双极, NPN, 25 V, 220 MHz, 1 W, 5 A, 250 hFE
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, NPN, 40 V, 300 MHz, 1 W, 200 mA, 100 hFE
(EN)
DIODES INC.
单晶体管 双极, NPN, 160 V, 130 MHz, 1 W, 600 mA, 80 hFE
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, NPN, 300 V, 50 MHz, 1 W, 500 mA, 40 hFE
(EN)
ROHM
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 300 mA, 20 V, 0.7 ohm, 4 V, 1 V
(EN)
ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, NPN和PNP执行, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
(EN)ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, NPN和PNP执行, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
(EN)ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, BRT, NPN和PNP执行, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率
(EN)ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, BRT, NPN和PNP执行, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率
(EN)ROHM
双极晶体管阵列, 双路, NPN, PNP, 50 V, 150 mW, 150 mA, 120 hFE, EMT
(EN)
