规格：MSL MSL 1 -无限制,
TOSHIBA
晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 100 V, 0.041 ohm, 10 V, 5 V
(EN)TOSHIBA
晶体管, MOSFET, 功率, N沟道, 35 A, 60 V, 0.0043 ohm, 10 V, 1.3 V
(EN)
TEXAS INSTRUMENTS
双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, 1.17 A, -15 V, 0.18 ohm, -10 V, -1.25 V
(EN)
STMICROELECTRONICS
双向晶闸管, TO-92
(EN)
TAIWAN SEMICONDUCTOR
晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 450 V, 3.7 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
TEXAS INSTRUMENTS
双极晶体管阵列, NPN, 50 V, 500 mA, SOIC
(EN)TEXAS INSTRUMENTS
双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 350 mA, SOIC
(EN)
TEXAS INSTRUMENTS
双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 350 mA, SOIC
(EN)TEXAS INSTRUMENTS
双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, SOIC
(EN)
TEXAS INSTRUMENTS
双极晶体管阵列, NPN, 50 V, 500 mA, SOP
(EN)TEXAS INSTRUMENTS
双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, SOP
(EN)
STMICROELECTRONICS
双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, SOIC
(EN)TEXAS INSTRUMENTS
双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, SOIC
(EN)TEXAS INSTRUMENTS
双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, SOIC
(EN)
ROHM
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 10 mA, 30 V, 8 ohm, 4 V, 1.5 V
(EN)ROHM
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 10 mA, 30 V, 8 ohm, 4 V, 1.5 V
(EN)
ROHM
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 250 mA, 60 V, 1.7 ohm, 10 V, 2.3 V
(EN)
ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, 双路, 双路 PNP, 50 V, -100 mA, 10 kohm, 10 kohm
(EN)ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, 双路, 双路 PNP, 50 V, -100 mA, 47 kohm, 47 kohm
(EN)ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, NPN和PNP执行, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
(EN)ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, NPN和PNP执行, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
(EN)ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, 双路, 双路 NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
(EN)ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, 双路 NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
(EN)ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, 双路, 双路 NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
(EN)ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, 双路, 双路 NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
(EN)
