品牌：VISHAY,规格：工作温度最高值 150°C,
VISHAY
二极管 桥式整流, 单相, 50 V, 35 A, 模块, 1.14 V, 4 引脚
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晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 30 V, 0.0048 ohm, 10 V, 2.2 V
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整流桥
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晶体管, JFET, -40V, TO-236, 整卷
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快速开关二极管, 1A, 50V DO-214AC, 整卷
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场效应管, MOSFET, P沟道, -20V, SC-89
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场效应管, MOSFET, N沟道, 600V, 21A, TO-220F
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晶体管, IGBT阵列&模块, NPN, 66 A, 4.15 V, 330 W, 1.2 kV, EconoPACK
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二极管 小信号, 单, 250 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 2.5 A
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场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, 29A, SOIC, 整卷
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VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -35 A, -20 V, 0.0031 ohm, -10 V, -400 mV
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肖特基整流器, 双共阴极, 120 V, 30 A, TO-263AC, 3 引脚, 970 mV
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齐纳二极管, 6.8V, 225mW, SOT-23
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场效应管, MOSFET, P沟道, -200V, 3.8A, POWERPAK-SO, 整卷
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齐纳二极管, 3.3V, 225mW, SOT-23
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场效应管, MOSFET, N沟道 与 P 通道, 60V, 0.046Ω
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场效应管, MOSFET, P沟道, -40V, 18.6A, SOIC-8, 整卷
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场效应管, MOSFET, 双P沟道, -20V, 7.4A
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肖特基整流二极管, 5A 50V DO-201AD, 整卷
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标准二极管, 1A, 200V, DO-204AL, 整卷
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场效应管, MOSFET, P沟道, -20V, 3.1A TO-236, 整卷
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场效应管, MOSFET, N沟道, 100V, 1.5A, SOT-23, 整卷
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肖特基整流二极管, 2A 50V DO-214AA
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肖特基整流器, 45V, 40A, TO-263
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VISHAY
场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 240mA TO-236, 整卷
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