规格：工作温度最高值 150°C,
NEXPERIA
单管二极管 齐纳, 5.1 V, 375 mW, SOD-123F, 2 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
单晶体管 双极, PNP, -45 V, 100 MHz, 310 mW, -800 mA, 170 hFE
(EN)
ROHM
晶体管, MOSFET, P沟道, -250 mA, -30 V, 0.9 ohm, -10 V, -2.5 V
(EN)
ROHM
小信号肖特基二极管, 单, 30 V, 1 A, 390 mV, 45 A, 150 °C
(EN)
NXP
开关二极管, 70V, SOT-23
(EN)
MULTICOMP
单晶体管 双极, NPN, 65 V, 100 MHz, 250 mW, 100 mA, 200 hFE
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
二极管 小信号, 单, 100 V, 200 mA, 1.2 V, 4 ns, 500 mA
(EN)
VISHAY
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.9 A, 650 V, 0.52 ohm, 10 V, 2 V
(EN)
NEXPERIA
双极晶体管阵列, NPN, 45 V, 390 mW, 100 mA, 290 hFE, SOT-143B
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -185 mA, -60 V, 6 ohm, -10 V, -3 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, SOIC
(EN)
VISHAY
肖特基整流器, 单, 40 V, 5 A, DO-201AD, 2 引脚, 480 mV
(EN)
VISHAY
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.6 A, 650 V, 0.755 ohm, 10 V, 2 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -13.2 A, -100 V, 0.119 ohm, -4.5 V, -1 V
(EN)NEXPERIA
单管二极管 齐纳, 20 V, 375 mW, SOD-123F, 2 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 2.7 A, 60 V, 200 mohm, 10 V, 4 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
晶体管 双极-射频, NPN, 10 V, 7 GHz, 150 mW, 70 mA, 60 hFE
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
晶体管 双极-射频, NPN, 10 V, 7 GHz, 200 mW, 70 mA, 60 hFE
(EN)NEXPERIA
开关二极管, 30V, SOT-323
(EN)DIODES INC.
二极管 小信号, 双隔离, 75 V, 300 mA, 1.25 V, 4 ns, 2 A
(EN)
NEXPERIA
晶体管 双极-射频, NPN, 60 V, 100 MHz, 250 mW, 100 mA, 450 hFE
(EN)
MULTICOMP
齐纳二极管, 36V, 200mW, SOD-323
(EN)ROHM
单管二极管 齐纳, 7.5 V, 250 mW, SOT-23, 5 %, 3 引脚, 150 °C
(EN)ROHM
单管二极管 齐纳, 8.2 V, 250 mW, SOT-23, 5 %, 3 引脚, 150 °C
(EN)
