规格：工作温度最高值 150°C,
NEXPERIA
单晶体管 双极, NPN, 40 V, 150 MHz, 1.1 W, 4 A, 300 hFE
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单管二极管 齐纳, 6.2 V, 225 mW, SOT-23, 6 %, 3 引脚, 150 °C
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, NPN, 50 V, 420 MHz, 900 mW, 1 A, 200 hFE
(EN)
STMICROELECTRONICS
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.4 A, 600 V, 3.3 ohm, 10 V, 3.75 V
(EN)
INFINEON
晶体管 双极-射频, NPN, 4.1 V, 42 GHz, 200 mW, 50 mA, 110 hFE
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, PNP, -40 V, 100 MHz, 540 mW, -2 A, 150 hFE
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
晶体管, MOSFET, N沟道, 46 A, 30 V, 0.0058 ohm, 10 V, 2.2 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
晶体管, MOSFET, P沟道, -3 A, -20 V, 0.064 ohm, -4.5 V, -1.3 V
(EN)
TAIWAN SEMICONDUCTOR
肖特基整流器, 40 V, 3 A, 单, DO-214AB, 2 引脚, 500 mV
(EN)
STMICROELECTRONICS
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5 A, 650 V, 0.79 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
晶体管 双极-射频, NPN, 12 V, 7 GHz, 800 mW, 150 mA, 100 hFE
(EN)
VISHAY
标准二极管, 6A, 400V, P600
(EN)ON SEMICONDUCTOR
晶体管, JFET, JFET, 30 V, 5 mA, 30 mA, -3 V, SOT-23, JFET
(EN)
DIODES INC.
单管二极管 齐纳, 排列, 16 V, 300 mW, SOT-23, 5 %, 3 引脚, 150 °C
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, N沟道
(EN)
ROHM
单管二极管 齐纳, AEC-Q101, 7.5 V, 200 mW, SOD-323FL, 2 引脚, 150 °C
(EN)
DIODES INC.
单管二极管 齐纳, 8.2 V, 300 mW, SOD-523, 6 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)VISHAY
单管二极管 齐纳, 15 V, 300 mW, SOT-23, 5 %, 3 引脚, 150 °C
(EN)
NEXPERIA
单晶体管 双极, PNP, -60 V, 150 MHz, 390 mW, -2.7 A, 300 hFE
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 25 V, 0.00048 ohm, 10 V, 2.1 V
(EN)VISHAY
单管二极管 齐纳, 6.8 V, 300 mW, SOT-23, 5 %, 3 引脚, 150 °C
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 2.6 A, 200 V, 1.5 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
PANASONIC ELECTRONIC COMPONENTS
肖特基整流器, 单, 40 V, 1 A, SOD-323F, 2 引脚, 580 mV
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
晶体管, MOSFET, P沟道, -860 mA, -20 V, 120 mohm, -4.5 V, -1 V
(EN)DIODES INC.
单管二极管 齐纳, 4.3 V, 350 mW, SOT-23, 7 %, 3 引脚, 150 °C
(EN)
