规格：工作温度最高值 150°C,
NEXPERIA
单管二极管 齐纳, 6.2 V, 500 mW, SOD-323F, 2 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
晶体管, MOSFET, N沟道, 100 mA, 50 V, 6 ohm, 4 V, 1.3 V
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 40 V, 5 mohm, 4.5 V, 2.25 V
(EN)
NEXPERIA
晶体管, MOSFET, 沟槽式, N沟道, 240 mA, 60 V, 2.2 ohm, 10 V, 1.6 V
(EN)
DIODES INC.
肖特基整流器, 单, 60 V, 8 A, PowerDI 5, 3 引脚, 530 mV
(EN)
TEXAS INSTRUMENTS
晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 0.0057 ohm, 10 V, 2 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
晶体管, MOSFET, P沟道, -3 A, -20 V, 0.063 ohm, -4.5 V, -1.3 V
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, P沟道, -60V, 5A, SOIC
(EN)
ROHM
单管二极管 齐纳, AEC-Q101, 5.6 V, 200 mW, SOD-323FL, 2 引脚, 150 °C
(EN)
NEXPERIA
单管二极管 齐纳, 27 V, 250 mW, SOT-23, 2 %, 3 引脚, 150 °C
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单管二极管 齐纳, 通用, 16 V, 3 W, SMD, 5 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
NEXPERIA
肖特基整流器, 单, 40 V, 1.5 A, SOD-1608, 2 引脚, 610 mV
(EN)
ROHM
单管二极管 齐纳, AEC-Q101, 4.7 V, 150 mW, SOD-523, 2 引脚, 150 °C
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1 A, 600 V, 2.8 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
ROHM
单管二极管 齐纳, 外延平面, 18 V, 1 W, SOD-123, 2 引脚, 150 °C
(EN)
DIODES INC.
晶体管, MOSFET, 增强模式, N沟道, 1.1 A, 60 V, 500 mohm, 10 V, 2.1 V
(EN)
NEXPERIA
二极管 小信号, 单, 225 mA, 1.25 V, 50 ns, 9 A
(EN)
VISHAY
单管二极管 齐纳, 5.1 V, 300 mW, SOT-23, 5 %, 3 引脚, 150 °C
(EN)
MULTICOMP
单晶体管 双极, NPN, 45 V, 200 MHz, 625 mW, 800 mA, 400 hFE
(EN)
STMICROELECTRONICS
单晶体管 双极, PNP, 80 V, 1.25 W, 1.5 A, 40 hFE
(EN)ON SEMICONDUCTOR
单管二极管 齐纳, 通用, 15 V, 500 mW, SOD-523, 2 引脚, 150 °C
(EN)
NEXPERIA
肖特基整流器, 单, 40 V, 500 mA, SOD-323, 2 引脚, 470 mV
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 750 mA, 30 V, 0.25 ohm, 4.5 V, 1 V
(EN)
