规格：工作温度最高值 150°C,
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 2.9 A, 20 V, 0.045 ohm, 8 V, 850 mV
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
二极管 小信号, 单, 100 V, 200 mA, 1 V, 4 ns, 36 A
(EN)
NEXPERIA
双极晶体管阵列, AEC-Q101, 双NPN, 65 V, 300 mW, 100 mA, 200 hFE, SOT-363
(EN)
DIODES INC.
肖特基整流器, 单, 45 V, 10 A, PowerDI 5, 3 引脚, 470 mV
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
小信号肖特基二极管, 单, 70 V, 70 mA, 1 V, 100 mA, 150 °C
(EN)
INFINEON
晶体管 双极-射频, NPN, 15 V, 5.5 GHz, 1 W, 120 mA, 70 hFE
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -8.2 A, -12 V, 0.0068 ohm, -1.8 V, -800 mV
(EN)
ROHM
单晶体管 双极, AEC-Q101, NPN, 30 V, 400 MHz, 200 mW, 1 A, 270 hFE
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 1 A, 100 V, 500 mohm, 10 V, 2.6 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
晶体管, MOSFET, P沟道, -2.8 A, -200 V, 2.06 ohm, -10 V, -5 V
(EN)
TAIWAN SEMICONDUCTOR
二极管 桥式整流, 微型, 单相, 400 V, 800 mA, SMD, 1 V, 4 引脚
(EN)
INFINEON
双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, 9.2 A, -12 V, 17 mohm, -4.5 V, -900 mV
(EN)
INTERNATIONAL RECTIFIER
晶体管, 单路, IGBT, 1.2KV, 20A
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, P沟道, 600 mA, -20 V, 600 mohm, -4.5 V, -1.5 V
(EN)
ROHM
单管二极管 齐纳, AEC-Q101, 30 V, 200 mW, SOD-323FL, 2 引脚, 150 °C
(EN)
MULTICOMP
单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 100 V, 40 W, 4 A, 750 hFE
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
二极管 小信号, 三独立式, 85 V, 100 mA, 1.2 V, 3 ns, 1 A
(EN)NXP
晶体管, JFET, JFET, -25 V, 40 mA, -2 V, SOT-23
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 6 A, 30 V, 0.023 ohm, 10 V, 2.5 V
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, P沟道, -7.2 A, -20 V, 25 mohm, -4.5 V, -800 mV
(EN)
TAIWAN SEMICONDUCTOR
标准功率二极管, 单, 1 kV, 1 A, 1.1 V, 1.8 μs, 30 A
(EN)DIODES INC.
肖特基整流器, 单, 100 V, 12 A, PowerDI 5, 3 引脚, 710 mV
(EN)ROHM
单管二极管 齐纳, AEC-Q101, 33 V, 200 mW, SOD-323FL, 2 引脚, 150 °C
(EN)
