规格：工作温度最高值 150°C,
ROHM
单管二极管 齐纳, 外延平面, 6.2 V, 200 mW, SOD-323F, 2 引脚, 150 °C
(EN)
NEXPERIA
双极晶体管阵列, NPN, 30 V, 250 mW, 100 mA, 110 hFE, SOT-143
(EN)
INFINEON
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 3.6 A, 30 V, 0.048 ohm, 4.5 V, 800 mV
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, NPN, 100 V, 120 MHz, 33 W, 3 A, 80 hFE
(EN)
STMICROELECTRONICS
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.1 A, 900 V, 5 ohm, 10 V, 3.75 V
(EN)
MULTICOMP
快速恢复二极管, 1A, 300V, DO-41
(EN)
PANASONIC ELECTRONIC COMPONENTS
二极管 小信号, 双系列, 80 V, 65 mA, 1.2 V, 3 ns, 325 mA
(EN)
NEXPERIA
肖特基整流器, 单, 40 V, 3 A, SOD-128, 2 引脚, 490 mV
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, NPN, 45 V, 150 MHz, 3 W, 3 A, 500 hFE
(EN)
NEXPERIA
晶体管, MOSFET, N沟道, 3.2 A, 12 V, 0.034 ohm, 4.5 V, 650 mV
(EN)
INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.7 A, 650 V, 190 mohm, 10 V, 3 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
小信号肖特基二极管, 单, 70 V, 10 mA, 1 V, 150 °C
(EN)
DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 40 V, 0.0013 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
单晶体管 双极, PNP, -40 V, 200 MHz, 625 mW, -600 mA, 20 hFE
(EN)
MULTICOMP
肖特基整流器, 60 V, 3 A, 单, DO-214AB, 2 引脚, 700 mV
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
晶体管, MOSFET, P沟道, -3 A, -12 V, 0.054 ohm, -4.5 V, -1.4 V
(EN)INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.4 A, 700 V, 1.26 ohm, 10 V, 3 V
(EN)TAIWAN SEMICONDUCTOR
快速/超快功率二极管, 600 V, 3 A, 单, 1.7 V, 35 ns, 100 A
(EN)ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, 达林顿, PNP, -100 V, 4 MHz, 20 W, -8 A, 100 hFE
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
晶体管, MOSFET, P沟道, -1.3 A, -20 V, 0.14 ohm, -4.5 V, -1 V
(EN)
VISHAY
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 24 A, 650 V, 0.12 ohm, 10 V, 2 V
(EN)
DIODES INC.
单管二极管 齐纳, 47 V, 350 mW, SOT-23, 6 %, 3 引脚, 150 °C
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
P CHANNEL MOSFET, -60V, 5.7A, POWER 33
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
齐纳二极管
(EN)
MULTICOMP
肖特基整流器, 60 V, 2 A, 单, DO-214AA, 2 引脚, 700 mV
(EN)
