规格：工作温度最高值 150°C,
MULTICOMP
齐纳二极管, 1W, 16V, DO-41
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单管二极管 齐纳, 5.6 V, 1.5 W, DO-214AC, 5 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
NEXPERIA
单管二极管 齐纳, 10 V, 375 mW, SOD-123F, 2 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.4 A, 700 V, 1.35 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
VISHAY
肖特基整流器, 3A 50V DO-201AD
(EN)
MULTICOMP
二极管 桥式整流, 单相, 50 V, 15 A, 1.2 V, 4 引脚
(EN)
TEXAS INSTRUMENTS
晶体管, MOSFET, N沟道, 2.3 A, 30 V, 0.054 ohm, 8 V, 900 mV
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
单晶体管 双极, PNP, -12 V, 500 MHz, 225 mW, -200 mA, 20 hFE
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 3.2 A, 20 V, 100 mohm, 4.5 V, 700 mV
(EN)
INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10.6 A, 650 V, 0.34 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单管二极管 齐纳, 27 V, 500 mW, SOD-123, 5 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)MULTICOMP
齐纳二极管, 1W, 68V, DO-41
(EN)
IXYS SEMICONDUCTOR
晶体管, MOSFET, N沟道, 170 A, 100 V, 10 mohm, 10 V, 4 V
(EN)
INFINEON
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 145 A, 25 V, 0.0009 ohm, 10 V, 1.6 V
(EN)
DIODES INC.
晶体管, MOSFET, 增强模式, N沟道, 4.2 A, 20 V, 0.019 ohm, 4.5 V, 500 mV
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, PNP, 60 V, 140 MHz, 2 W, -3 A, 200 hFE
(EN)ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
晶体管, JFET, JFET, -35 V, 5 mA, -5 V, SOT-23, JFET
(EN)
VISHAY
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.3 A, 1 kV, 11.5 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
BOURNS
晶闸管, -170 V, 5 mA, -5 μA, SOIC, 8 引脚
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
单晶体管 双极, NPN, 45 V, 100 MHz, 310 mW, 800 mA, 170 hFE
(EN)
VISHAY
肖特基整流器, 单, 45 V, 35 A, SlimDPAK, 3 引脚, 620 mV
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单管二极管 齐纳, 1SMA59xxB系列, 130 V, 3 W, DO-214AA, 5 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
NXP
双极性晶体管, 高电压, NPN, 300V, 100mA, 3SOT23
(EN)NEXPERIA
单管二极管 齐纳, 6.8 V, 500 mW, SOD-123F, 2.5 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
NEXPERIA
肖特基整流器, 单, 20 V, 1 A, SOD-1608, 2 引脚, 415 mV
(EN)
