规格：工作温度最高值 150°C,
MULTICOMP
标准恢复二极管, 单, 100 V, 1 A, 1.1 V, 1.8 μs, 30 A
(EN)
VISHAY
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 29 A, 600 V, 0.104 ohm, 10 V, 2 V
(EN)
MULTICOMP
肖特基二极管, 16A, 100V, TO-220AB
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
功率晶体管, NPN, 100V, D-PAK
(EN)
MULTICOMP
单晶体管 双极, NPN, 400 V, 625 mW, 300 mA, 50 hFE
(EN)
DIODES INC.
单管二极管 齐纳, 16 V, 350 mW, SOT-23, 5 %, 3 引脚, 150 °C
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 6.2 A, 60 V, 0.018 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, P沟道, -3.44 A, -60 V, 0.11 ohm, -10 V, -3 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
射频双极晶体管
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
晶体管, MOSFET, N沟道, 1.4 A, 30 V, 0.092 ohm, 10 V, 2.1 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
单晶体管 双极, 通用, PNP, -60 V, 200 MHz, 1 W, -800 mA, 100 hFE
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, 通用, PNP, 45 V, 100 MHz, 330 mW, 500 mA, 350 hFE
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
晶体管, MOSFET, P沟道, -8.8 A, -30 V, 0.016 ohm, -10 V, -2.1 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
标准功率二极管, 600 V, 3 A, 单, 1 V, 200 A
(EN)
TEXAS INSTRUMENTS
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 15 A, 60 V, 0.023 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
NEXPERIA
单管二极管 齐纳, 3.6 V, 500 mW, SOD-323F, 2 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 100 V, 0.0034 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
DIODES INC.
单管二极管 齐纳, 1.8 V, 500 mW, SOD-123, 5 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
MULTICOMP
快速/超快功率二极管, 双共阴极, 600 V, 16 A, 1.5 V, 50 ns, 125 A
(EN)
DIODES INC.
晶体管, MOSFET, P沟道, 9.9 A, -40 V, 60 mohm, -10 V, -1 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单管二极管 齐纳, 6.2 V, 250 mW, SOT-23, 2 %, 3 引脚, 150 °C
(EN)VISHAY
单管二极管 齐纳, AEC-Q101, 33 V, 3 W, DO-214AC, 5 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
齐纳二极管, 5W, 5.1V, DO-15
(EN)
DIODES INC.
单管二极管 齐纳, 24 V, 500 mW, SOD-123, 6 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
齐纳二极管
(EN)
