规格：工作温度最高值 150°C,
INTERNATIONAL RECTIFIER
双路场效应管, N 通道, MOSFET, 50V, SOIC
(EN)
PANASONIC ELECTRONIC COMPONENTS
单管二极管 齐纳, 20 V, 200 mW, SOD-323F, 2 引脚, 150 °C
(EN)
DIODES INC.
二极管 小信号, 单, 250 V, 400 mA, 1 V, 50 ns, 1 A
(EN)ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, NPN, 15 V, 300 mW, 200 mA, 120 hFE
(EN)
INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 47 A, 650 V, 70 mohm, 10 V, 3 V
(EN)
MULTICOMP
单晶体管 双极, PNP, -45 V, 100 MHz, 250 mW, -100 mA, 420 hFE
(EN)
INFINEON
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 10 A, 20 V, 0.0107 ohm, 10 V, 2.55 V
(EN)
VISHAY
N CHANNEL MOSFET, 20V, 22A POWERPAK
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
齐纳二极管, 3W, 16V, SMB
(EN)
DIODES INC.
单管二极管 齐纳, 3.3 V, 200 mW, SOD-323, 6 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 3.5 A, 150 V, 0.041 ohm, 10 V, 2 V
(EN)
VISHAY
快速/超快功率二极管, 1 kV, 3 A, 单, 1.7 V, 75 ns, 150 A
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, P沟道, -3.2A, -30V, 1.25W
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, NPN, 60 V, 150 MHz, 350 mW, 1 A, 100 hFE
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, 音频, PNP, -150 V, 30 MHz, 50 W, -8 A, 40 hFE
(EN)
NEXPERIA
DIODE, ZENER, 33V, 250mW, SOT-23-3
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 1.6 A, 60 V, 0.092 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 1.6 A, 100 V, 200 mohm, 10 V, 4 V
(EN)
NEXPERIA
单管二极管 齐纳, 16 V, 500 mW, SOD-323F, 2 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
DIODES INC.
单晶体管 双极, NPN, 40 V, 300 MHz, 200 mW, 200 mA, 100 hFE
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
单管二极管 齐纳, 10 V, 500 mW, SOD-123, 5 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 30 V, 4.2 mohm, 10 V, 2.5 V
(EN)DIODES INC.
单管二极管 齐纳, MMSZ52系列, 20 V, 500 mW, SOD-123, 5 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
VISHAY
FAST RECOVERY DIODE, 2A, 50V, DO-214AA
(EN)NEXPERIA
单管二极管 齐纳, 6.2 V, 1.5 W, SOT-223, 5 %, 4 引脚, 150 °C
(EN)
