规格：工作温度最高值 150°C,
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 30 V, 7.4 mohm, 10 V, 1.7 V
(EN)
NEXPERIA
单管二极管 齐纳, 39 V, 300 mW, SOD-323, 2 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.2 A, 650 V, 1.35 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
DIODES INC.
二极管 小信号, 开关, 单, 75 V, 150 mA, 1.25 V, 4 ns, 2 A
(EN)
INFINEON
可变电容二极管, 变容 AEC-Q101, 10 pF, 20 mA, 30 V, 150 °C, SOD-323, 2引脚
(EN)
ROHM
晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 40 V, 0.011 ohm, 10 V, 2.5 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
二极管 桥式整流, 单相, 100 V, 1.5 A, DIP, 1.1 V, 4 引脚
(EN)
VISHAY
二极管 小信号, 单, 250 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 1 A
(EN)
NEXPERIA
单管二极管 齐纳, 6.8 V, 250 mW, SOT-23, 2 %, 3 引脚, 150 °C
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 250 mA, 30 V, 1 ohm, 4 V, 1.2 V
(EN)
VISHAY
MOSFET, P CHANNEL, -40V, -8.7A, SOIC-8
(EN)
DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 160 mA, 50 V, 3.1 ohm, 4 V, 800 mV
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 30 V, 0.011 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
DIODES INC.
双极晶体管阵列, 双路, NPN, PNP, 160 V, 200 mW, 200 mA, 80 hFE, SOT-363
(EN)
INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.1 A, 900 V, 1.2 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
单晶体管 双极, NPN, 60 V, 100 MHz, 625 mW, 500 mA, 100 hFE
(EN)
NEXPERIA
单管二极管 齐纳, 12 V, 300 mW, SOD-523, 2 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
NEXPERIA
单晶体管 双极, 双PNP, -60 V, 100 MHz, 2 W, -2 A, 50 hFE
(EN)
ROHM
晶体管, MOSFET, N沟道, 3.5 A, 30 V, 0.028 ohm, 10 V, 2.5 V
(EN)
NEXPERIA
单晶体管 双极, NPN, 50 V, 100 MHz, 250 mW, 100 mA, 90 hFE
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
晶体管, BJT, NPN, 60V, 1A, TO-220AB
(EN)ON SEMICONDUCTOR
二极管 小信号, 开关, 单, 75 V, 200 mA, 1.25 V, 3 μs, 500 mA
(EN)
STMICROELECTRONICS
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8 A, 600 V, 0.57 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
标准恢复, 1A, 400V, DO-214AC
(EN)
MULTICOMP
二极管, 快速恢复型, 2A, 400V, DO-214AA-2
(EN)
