规格：工作温度最高值 150°C,
INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 9.2 A, 600 V, 0.41 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
DIODES INC.
肖特基整流器, AEC-Q101, 单, 30 V, 2 A, PowerDI 123, 2 引脚, 400 mV
(EN)
NEXPERIA
小信号肖特基二极管, 四, 70 V, 70 mA, 1 V, 100 mA, 150 °C
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
肖特基整流器, 单, 60 V, 3 A, 轴向引线, 2 引脚, 740 mV
(EN)
DIODES INC.
二极管 小信号, 排列, 单, 75 V, 150 mA, 1.25 V, 4 ns, 2 A
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
肖特基整流器, 40 V, 3 A, 单, DO-214AB, 2 引脚, 500 mV
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, NPN, 50 V, 150 MHz, 500 mW, 2 A, 200 hFE
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
单晶体管 双极, PNP, -20 V, 1 W, -1.5 A, 50 hFE
(EN)
TEXAS INSTRUMENTS
晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 40 V, 0.0018 ohm, 10 V, 1.8 V
(EN)
VISHAY
桥式整流器, 单相, 25A, 600V, 通孔安装
INFINEON
晶体管 双极-射频, 双NPN, 12 V, 8 GHz, 450 mW, 65 mA, 70 hFE
(EN)
NEXPERIA
单晶体管 双极, NPN, 80 V, 150 MHz, 550 mW, 4 A, 400 hFE
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 100 V, 0.0068 ohm, 10 V, 1.85 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 4.3 A, 100 V, 540 mohm, 10 V, 4 V
(EN)
DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 270 mA, 60 V, 5 ohm, 10 V, 2.4 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, NPN, 100 V, 120 MHz, 1.5 W, 2 A, 140 hFE
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, NPN, 80 V, 130 MHz, 1.5 W, 5 A, 200 hFE
(EN)
NEXPERIA
单晶体管 双极, NPN, 40 V, 250 mW, 200 mA, 30 hFE
(EN)
NEXPERIA
单管二极管 齐纳, 11 V, 500 mW, SOD-323F, 2 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, 通用, PNP, 100 V, 3 MHz, 2 W, 6 A, 3 hFE
(EN)
VISHAY
肖特基整流器, 单, 30 V, 3.5 A, TO-252, 3 引脚, 450 mV
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
晶体管, MOSFET, P沟道, -3 A, -12 V, 0.054 ohm, -4.5 V, -1.4 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
晶体管, MOSFET, N沟道, 2 A, 400 V, 2.8 ohm, 10 V, 5 V
(EN)
