规格：工作温度最高值 150°C,
NEXPERIA
双极晶体管阵列, PNP, -45 V, 390 mW, -100 mA, 290 hFE, SOT-143B
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
小信号肖特基二极管, 单, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 150 °C
(EN)
PANASONIC ELECTRONIC COMPONENTS
二极管 小信号, 单, 300 V, 100 mA, 1.2 V, 500 mA
(EN)
NEXPERIA
单晶体管 双极, 通用, PNP, -80 V, 50 MHz, 250 mW, -500 mA, 100 hFE
(EN)
INFINEON
双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 4.3 A, 20 V, 50 mohm, 4.5 V, 700 mV
(EN)
NEXPERIA
晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 25 V, 2.3 mohm, 4.5 V, 700 mV
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 2.7 A, 55 V, 160 mohm, 10 V, 4 V
(EN)
MULTICOMP
单晶体管 双极, 通用, NPN, 60 V, 2 MHz, 75 W, 10 A, 20 hFE
(EN)
VISHAY
桥式整流器
(EN)
TAIWAN SEMICONDUCTOR
快速/超快功率二极管, 单, 600 V, 1 A, 1.7 V, 35 ns, 30 A
(EN)
VISHAY
场效应管, P沟道, MOSFET
(EN)
MULTICOMP
肖特基二极管, 16A, 40V, TO-220AB
(EN)
VISHAY
快速/超快二极管, 单, 200 V, 1 A, 920 mV, 15 ns, 30 A
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -1.9 A, -200 V, 3 ohm, -10 V, -4 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 3.5 A, 100 V, 0.047 ohm, 10 V, 3.1 V
(EN)
ROHM
肖特基整流器, 60 V, 1 A, 单, SOD-123FL, 2 引脚, 650 mV
(EN)
VISHAY
二极管 桥式整流, 单相, 200 V, 1.9 A, 通孔安装, 1.1 V, 4 引脚
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 8 A, 500 V, 850 mohm, 10 V, 4 V
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, P沟道, -12.6 A, -30 V, 0.0067 ohm, -10 V, -1.5 V
(EN)
INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 21 mA, 600 V, 280 ohm, 10 V, -2 V
(EN)
STMICROELECTRONICS
肖特基整流器, 单, 40 V, 1 A, DO-214AA, 2 引脚, 500 mV
(EN)
DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 4.2 A, 20 V, 0.025 ohm, 4.5 V, 1 V
(EN)
ROHM
单管二极管 齐纳, 外延平面, 4.7 V, 200 mW, SOD-323F, 2 引脚, 150 °C
(EN)
MULTICOMP
快速恢复二极管, 30A, 200V, TO-3P
(EN)VISHAY
MOSFET, N CHANNEL, 20V, 0.00155OHM, 46A, SOIC-8
(EN)
