规格：工作温度最高值 150°C,
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
单晶体管 双极, NPN, 45 V, 330 MHz, 350 mW, 500 mA, 110 hFE
(EN)
VISHAY
标准二极管, 1A, 200V, DO-214AC
(EN)
MULTICOMP
齐纳二极管, 1W, 18V, DO-41
(EN)
DIODES INC.
单管二极管 齐纳, 10 V, 3 W, DO-214AA, 5 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 800 V, 1.2 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, P沟道, -12 A, -30 V, 0.0085 ohm, -20 V, -1.8 V
(EN)
INFINEON
单晶体管, IGBT, 50 A, 1.9 V, 179 W, 1.2 kV, TO-247AC, 3 引脚
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
晶体管, MOSFET, N沟道, 915 mA, 20 V, 0.127 ohm, 4.5 V, 760 mV
(EN)ON SEMICONDUCTOR
单管二极管 齐纳, 20 V, 225 mW, SOT-23, 6 %, 3 引脚, 150 °C
(EN)
ROHM
单管二极管 齐纳, AEC-Q101, 36 V, 200 mW, SOD-323FL, 2 引脚, 150 °C
(EN)
DIODES INC.
肖特基整流器, AEC-Q101, 单, 50 V, 15 A, PowerDI 5, 3 引脚, 470 mV
(EN)
NEXPERIA
肖特基整流器, 单, 45 V, 10 A, SOT-1289, 3 引脚, 540 mV
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, P沟道, 30V, 11.4A
(EN)
MULTICOMP
单管二极管 齐纳, 3.3 V, 350 mW, SOT-23, 5 %, 3 引脚, 150 °C
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 60 V, 0.049 ohm, 10 V, 1.8 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -1.6 A, -60 V, 285 mohm, -10 V, -1 V
(EN)
VISHAY
单管二极管 齐纳, 5.1 V, 410 mW, SOD-123, 5 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
MULTICOMP
单管二极管 齐纳, BZX84C系列, 47 V, 300 mW, SOT-23, 5 %, 3 引脚, 150 °C
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -2.9 A, -60 V, 0.18 ohm, -10 V, -3 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
肖特基整流器, 50 V, 1 A, 单, DO-41 (DO-204AL), 2 引脚, 750 mV
(EN)
INFINEON
晶体管 双极-射频, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, 70 hFE
(EN)VISHAY
单管二极管 齐纳, 5.6 V, 410 mW, SOD-123, 5 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
INTERNATIONAL RECTIFIER
场效应管, N 通道, MOSFET, 30V, 7A, SOICSIS
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -2.1 A, -20 V, 0.116 ohm, -4.5 V, 600 mV
(EN)
NEXPERIA
单管二极管 齐纳, 10 V, 500 mW, SOD-323F, 2 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
