规格：工作温度最高值 150°C,
VISHAY
标准二极管, 6A, 200V, P600
(EN)
VISHAY
二极管 桥式整流, 单相, 1 kV, 2 A, 通孔安装, 1 V, 4 引脚
(EN)
VISHAY
快速恢复功率整流器
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
晶体管, MOSFET, N沟道, 10.2 A, 30 V, 0.011 ohm, 10 V, 2.5 V
(EN)
TEXAS INSTRUMENTS
晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 25 V, 1.9 mohm, 8 V, 1.1 V
(EN)
NEXPERIA
单晶体管 双极, 通用, PNP, -45 V, 80 MHz, 250 mW, -500 mA, 100 hFE
(EN)
MULTICOMP
单管二极管 齐纳, 18 V, 1 W, DO-214AC, 5 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
TAIWAN SEMICONDUCTOR
肖特基整流器, 60 V, 7.5 A, 单, TO-220AC, 2 引脚, 750 mV
(EN)DIODES INC.
单管二极管 齐纳, 18 V, 350 mW, SOT-23, 6 %, 3 引脚, 150 °C
(EN)
PANASONIC ELECTRONIC COMPONENTS
单管二极管 齐纳, 3 V, 200 mW, SOD-323F, 2 引脚, 150 °C
(EN)
MULTICOMP
单管二极管 齐纳, 39 V, 5 W, DO-201AE, 5 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, 通用, NPN, 60 V, 3 MHz, 30 W, 3 A, 10 hFE
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, 通用, NPN, 400 V, 14 MHz, 80 W, 8 A, 4 hFE
(EN)NEXPERIA
单晶体管 双极, NPN, 300 V, 100 MHz, 250 mW, 50 mA, 50 hFE
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 8 A, 30 V, 0.016 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
NEXPERIA
单管二极管 齐纳, 12 V, 250 mW, SOT-23, 5 %, 3 引脚, 150 °C
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 2.7 A, 150 V, 0.068 ohm, 10 V, 2 V
(EN)MULTICOMP
肖特基整流器, 40 V, 8 A, 单, TO-220AC, 2 引脚, 550 mV
(EN)
TAIWAN SEMICONDUCTOR
标准功率二极管, 800 V, 3 A, 单, 1 V, 200 A
(EN)NEXPERIA
晶体管, MOSFET, P沟道, -4 A, -20 V, 0.032 ohm, -4.5 V, -700 mV
(EN)
INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.7 A, 650 V, 190 mohm, 10 V, 3 V
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, P沟道, -42 A, -55 V, 0.02 ohm, -10 V, -4 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
MOSFET Transistor, P Channel, -8.8 A, -20 V, 0.012 ohm, -4.5 V, -880 mV
(EN)
STMICROELECTRONICS
小信号二极管
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
双极性晶体管
(EN)
