规格：工作温度最高值 150°C,
INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.1 A, 900 V, 0.94 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
单晶体管 双极, NPN, 400 V, 10 MHz, 15 W, 1 A, 10 hFE
(EN)
DIODES INC.
标准恢复二极管, POWERDI?, 单, 40 V, 2 A, 500 mV, 50 A
(EN)
VISHAY
双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 2.5 A, 30 V, 0.085 ohm, 10 V, 1 V
(EN)
ROHM
单管二极管 齐纳, 外延平面, 5.6 V, 200 mW, SOD-323F, 2 引脚, 150 °C
(EN)
MULTICOMP
二极管 桥式整流, VSIB系列, 单相, 200 V, 4 A, SIP, 1.1 V, 4 引脚
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, NPN, 100 V, 3 MHz, 1.75 W, 6 A, 15 hFE
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
单晶体管 双极, NPN, 40 V, 300 MHz, 625 mW, 200 mA, 30 hFE
(EN)
MULTICOMP
二极管 桥式整流, 单相, 600 V, 40 A, 1.2 V, 4 引脚
(EN)
MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
桥式整流器, 1A, 60V
(EN)
VISHAY
双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -4.9 A, -20 V, 0.025 ohm, -2.5 V, -1.4 V
(EN)STMICROELECTRONICS
晶体管, MOSFET, P沟道, 2.8 A, -500 V, 3 ohm, 10 V, 3.75 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, 通用, PNP, 300 V, 20 W, 500 mA, 240 hFE
(EN)
STMICROELECTRONICS
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.2 A, 600 V, 1.5 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
VISHAY
二极管 桥式整流, 单相, 800 V, 2 A, 通孔安装, 1.1 V, 4 引脚
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -8.1 A, -30 V, 19.5 mohm, -10 V, -3 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 500 V, 3 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
BJT, NPN, 80V SOT-23
(EN)VISHAY
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7 A, 650 V, 0.5 ohm, 10 V, 2 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, PNP, 45 V, 300 mW, 500 mA, 100 hFE
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 30 V, 0.011 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
NEXPERIA
单晶体管 双极, NPN, 300 V, 50 MHz, 250 mW, 100 mA, 40 hFE
(EN)
NEXPERIA
肖特基整流器, 单, 40 V, 200 mA, SOD-523, 2 引脚, 600 mV
(EN)
TAIWAN SEMICONDUCTOR
肖特基整流器, 20 V, 3 A, 单, DO-214AB, 2 引脚, 550 mV
(EN)
