规格：工作温度最高值 150°C,
STMICROELECTRONICS
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 800 V, 4.5 ohm, 10 V, 3.75 V
(EN)
NEXPERIA
单管二极管 齐纳, 4.3 V, 300 mW, SOD-323, 5 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
DIODES INC.
双路场效应管, MOSFET, AEC-Q101, 双N沟道, 260 mA, 30 V, 2.8 ohm, 10 V, 1.5 V
(EN)
MULTICOMP
桥式整流器, 单相, 50A, 1KV, 快接端子
(EN)
MULTICOMP
标准恢复二极管, 50 V, 1 A, 单, 1.1 V, 30 A
(EN)
TAIWAN SEMICONDUCTOR
标准恢复二极管, 200 V, 3 A, 单, 1.2 V, 200 A
(EN)
STMICROELECTRONICS
单晶体管 双极, 达林顿, PNP, 60 V, 40 W, 4 A, 750 hFE
(EN)
NEXPERIA
单晶体管 双极, PNP, -250 V, 60 MHz, 250 mW, -50 mA, 50 hFE
(EN)
MULTICOMP
标准恢复二极管, 200 V, 1 A, 单, 1.1 V, 30 A
(EN)
MICROCHIP
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 300 mA, 650 V, 8 ohm, 0 V
(EN)
DIODES INC.
单晶体管 双极, PNP, -100 V, 200 MHz, 625 mW, -1 A, 300 hFE
(EN)
DIODES INC.
小信号肖特基二极管, 双共阳极, 70 V, 70 mA, 1 V, 100 mA, 150 °C
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 80 V, 3.9 mohm, 10 V, 2.8 V
(EN)
INTERNATIONAL RECTIFIER
场效应管, N 通道, MOSFET, 55V, 2A, SOT-223
(EN)DIODES INC.
二极管 小信号, 开关, 双隔离, 350 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 4 A
(EN)
STMICROELECTRONICS
三端双向可控硅, 600 V, 35 mA, 1 W, 1 V, TO-263, 160 A
(EN)
MULTICOMP
标准功率二极管, 单, 1 kV, 1 A, 470 mV, 30 A
(EN)
DIODES INC.
单管二极管 齐纳, 4.7 V, 500 mW, SOD-123, 6 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 46 A, 650 V, 0.04 ohm, 10 V, 3.5 V
(EN)
NTE ELECTRONICS
快速恢复二极管, 3A, 600V DO-41
(EN)
TEXAS INSTRUMENTS
晶体管, MOSFET, N沟道, 2.2 A, 60 V, 0.054 ohm, 10 V, 1.75 V
(EN)
NEXPERIA
小信号肖特基二极管, 单, 20 V, 1 A, 620 mV, 6 A, 150 °C
(EN)MULTICOMP
肖特基整流器, 30 V, 5 A, 单, DO-201AA, 2 引脚, 550 mV
(EN)
DIODES INC.
晶体管, MOSFET, 增强模式, P沟道, -5.4 A, -30 V, 0.045 ohm, -10 V, -1 V
(EN)TAIWAN SEMICONDUCTOR
快速/超快功率二极管, 单, 600 V, 1 A, 1.7 V, 35 ns, 30 A
(EN)
