规格：工作温度最高值 150°C,
VISHAY
肖特基整流器, 单, 45 V, 20 A, TO-220AC, 2 引脚, 570 mV
(EN)
NEXPERIA
单管二极管 齐纳, 9.1 V, 375 mW, SOD-123F, 2 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 100 V, 0.142 ohm, 10 V, 2 V
(EN)
VISHAY
桥式整流器, 单相, 4A, 400V 通孔安装
(EN)
INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 190 mohm, 10 V, 4.5 V
(EN)
VISHAY
肖特基整流器, 单, 30 V, 5 A, DO-214AB, 2 引脚, 450 mV
(EN)
DIODES INC.
二极管 小信号, 开关, 单, 85 V, 150 mA, 1.25 V, 3 μs, 4 A
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
晶体管, MOSFET, N沟道, 49 A, 40 V, 0.002 ohm, 10 V, 1.9 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 500 V, 0.21 ohm, 10 V, 5 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 3.1 A, 100 V, 0.102 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
VISHAY
二极管 小信号, 单, 300 V, 225 mA, 1 V, 50 ns, 4 A
(EN)
MULTICOMP
双极晶体管
(EN)
NEXPERIA
二极管阵列 齐纳, 16 V, 300 mW, -55 °C, 150 °C, SOT-23
(EN)
INFINEON
单晶体管, IGBT, 20 A, 3.1 V, 100 W, 1.2 kV, TO-247AC, 3 引脚
(EN)
DIODES INC.
双路场效应管, MOSFET, AEC-Q101, 双P沟道, -2 A, -20 V, 0.15 ohm, -4.5 V, -1 V
(EN)
MULTICOMP
快速/超快功率二极管, 600 V, 3 A, 单, 1.7 V, 35 ns, 125 A
(EN)ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, NPN, 60 V, 3 MHz, 40 W, 3 A, 10 hFE
(EN)
VISHAY
单管二极管 齐纳, 47 V, 3 W, DO-214AC, 5 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 350 V, 10 MHz, 2 W, 1 A, 150 hFE
(EN)
DIODES INC.
晶体管, MOSFET, P沟道, -1.5 A, -20 V, 0.092 ohm, -4.5 V, -1 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, PNP, -60 V, 40 W, -4 A, 750 hFE
(EN)TAIWAN SEMICONDUCTOR
肖特基整流器, 单, 60 V, 1 A, DO-204AL, 2 引脚, 700 mV
(EN)NEXPERIA
单晶体管 双极, NPN, 45 V, 100 MHz, 250 mW, 100 mA, 420 hFE
(EN)TAIWAN SEMICONDUCTOR
标准功率二极管, 600 V, 1 A, 单, 1.1 V, 30 A
(EN)
MULTICOMP
桥式整流器, 单相, 50A, 600V 快接式
(EN)
