规格：工作温度最高值 150°C,
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
场效应管, JFET, P沟道
(EN)
VISHAY
整流器, 标准, 单路, 3A, 100V, DO-214AB-2
(EN)
DIODES INC.
单晶体管 双极, PNP, -65 V, 200 MHz, 200 mW, -100 mA, 290 hFE
(EN)
MULTICOMP
二极管, 快速恢复型, 1A, 600V, DO-214AC-2
(EN)
PANASONIC ELECTRONIC COMPONENTS
单管二极管 齐纳, 24 V, 200 mW, SOD-323F, 2 引脚, 150 °C
(EN)
NEXPERIA
单晶体管 双极, NPN, 80 V, 180 MHz, 500 mW, 1 A, 63 hFE
(EN)
NEXPERIA
单管二极管 齐纳, 15 V, 375 mW, SOD-123F, 2 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
单晶体管 双极, NPN, 100 V, 3 MHz, 30 W, 1 A, 15 hFE
(EN)
INTERNATIONAL RECTIFIER
场效应管, MOSFET, P沟道, -15A, -20V, 8-SOIC
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
二极管 小信号, 单, 200 V, 200 mA, 1.15 V, 2 A
(EN)
DIODES INC.
双路场效应管, MOSFET, AEC-Q101, N和P, 845 mA, 20 V, 0.3 ohm, 4.5 V, 1 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
单管二极管 齐纳, 10.5 V, 500 mW, SOD-123, 2 引脚, 150 °C
(EN)NEXPERIA
单晶体管 双极, NPN, 45 V, 180 MHz, 640 mW, 1 A, 63 hFE
(EN)
VISHAY
肖特基整流器, 双共阴极, 100 V, 12 A, TO-252, 3 引脚, 470 mV
(EN)
DIODES INC.
单管二极管 齐纳, 5.1 V, 350 mW, SOT-23, 6 %, 3 引脚, 150 °C
(EN)DIODES INC.
单管二极管 齐纳, 5.1 V, 300 mW, SOD-523, 6 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 4A, TO-236
(EN)ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, AEC-Q100, NPN, 60 V, 65 W, 5 A, 1000 hFE
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 500 V, 1.4 ohm, 10 V, 4.5 V
(EN)
NEXPERIA
二极管 小信号, 双隔离, 250 V, 225 mA, 1.25 V, 50 ns, 9 A
(EN)
MULTICOMP
二极管 桥式整流, 单相, 200 V, 35 A, 模块, 1.1 V, 4 引脚
(EN)ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, AEC-Q100, NPN, 100 V, 50 W, 2 A, 500 hFE
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 25 V, 0.0009 ohm, 10 V, 1.8 V
(EN)
