规格：工作温度最高值 150°C,
VISHAY
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 12 A, 600 V, 0.32 ohm, 10 V, 2 V
(EN)
MULTICOMP
单管二极管 齐纳, 10 V, 1 W, DO-214AC, 2 引脚, 150 °C
(EN)
STMICROELECTRONICS
晶体管, MOSFET, N沟道, 600 mA, 450 V, 3.2 ohm, 10 V, 3.75 V
(EN)MULTICOMP
肖特基整流器, 20 V, 1 A, 单, DO-214AC, 2 引脚, 550 mV
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
双极性晶体管, NPN, 200V, TO-220
(EN)
MULTICOMP
单晶体管 双极, 通用, NPN, 100 V, 3 MHz, 30 W, 1 A, 15 hFE
(EN)
WOLFSPEED
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 22 A, 900 V, 0.12 ohm, 15 V, 2.1 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 8 A, 500 V, 850 mohm, 10 V
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, N沟道, 500V, 19A, TO220AB-3
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
单晶体管 双极, NPN, 30 V, 300 MHz, 500 mW, 100 mA, 420 hFE
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
场效应管, MOSFET, N沟道, 20V, 285mA, SOT-723
(EN)
ROHM
肖特基整流器, AEC-Q101, 单, 30 V, 1 A, SOD-123, 2 引脚, 390 mV
(EN)
VISHAY
MOSFET, N CHANNEL, 600V, 15A, TO-220AB-3
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, PNP, -50 V, 150 MHz, 500 mW, -3 A, 200 hFE
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 0.0018 ohm, 10 V, 1.1 V
(EN)ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, PNP, -60 V, 3 MHz, 40 W, -3 A, 10 hFE
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
场效应管, MOSFET, N沟道, TO-220, 18A, 200V
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, P沟道, -11 A, -30 V, 0.0135 ohm, -10 V, -2.5 V
(EN)
ROHM
单管二极管 齐纳, 9.1 V, 1 W, SOD-106, 2 引脚, 150 °C
(EN)MULTICOMP
标准功率二极管, 1 kV, 1 A, 单, 1.1 V, 30 A
(EN)
VISHAY
肖特基整流器, 单, 200 V, 5 A, DO-214AB, 2 引脚, 1.7 V
(EN)
NEXPERIA
晶体管 双极-射频, NPN, 50 V, 100 MHz, 200 mW, 150 mA, 390 hFE
(EN)NEXPERIA
二极管 小信号, 双系列, 225 mA, 1.25 V, 50 ns, 9 A
(EN)
MICROCHIP
晶体管, MOSFET, N沟道, 135 mA, 350 V, 35 ohm, 0 V
(EN)
VISHAY
桥式整流器, 单相, 4A, 50V, 通孔安装
(EN)
