规格：工作温度最高值 150°C,
VISHAY
肖特基整流器, 双共阴极, 60 V, 30 A, TO-263AC, 3 引脚, 610 mV
(EN)
VISHAY
二极管 桥式整流, 单相, 600 V, 2 A, SIP, 1 V, 4 引脚
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
Power MOSFET, N Channel, 2 A, 1.5 kV, 10 ohm, 10 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
小信号肖特基二极管, 单, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 150 °C
(EN)
DIODES INC.
单晶体管 双极, NPN, 180 V, 70 MHz, 2 W, 500 mA, 500 hFE
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, P沟道, TO-220AB
(EN)
VISHAY
快速/超快二极管, 单, 200 V, 3 A, 1 V, 50 ns, 150 A
(EN)
MULTICOMP
小信号肖特基二极管, 双系列, 70 V, 70 mA, 1 V, 100 mA, 150 °C
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 6 A, 20 V, 26500 μohm, 4.5 V, 450 mV
(EN)
NEXPERIA
单晶体管 双极, PNP, -80 V, 145 MHz, 1.65 W, -1 A, 63 hFE
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 0.0023 ohm, 10 V, 2 V
(EN)
INFINEON
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 4.9 A, 30 V, 50 mohm, 10 V, 1 V
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, N沟道
(EN)
MULTICOMP
标准恢复二极管, 100 V, 1 A, 单, 1.3 V, 150 ns, 30 A
(EN)
VISHAY
标准功率二极管, 800 V, 20 A, 单, 1.1 V, 300 A
(EN)
MULTICOMP
标准恢复二极管, 单, 200 V, 3 A, 1.2 V, 200 A
(EN)ON SEMICONDUCTOR
场效应管, MOSFET, N沟道, 500V 5A TO-220
(EN)
VISHAY
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 4.4 A, 20 V, 0.032 ohm, 4.5 V, 1 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 1.2 A, 20 V, 0.16 ohm, 4.5 V, 800 mV
(EN)
DIODES INC.
单管二极管 齐纳, 精准, 33 V, 500 mW, SOD-123, 2 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
VISHAY
二极管 桥式整流, 单相, 600 V, 3 A, 模块, 1 V, 4 引脚
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, P沟道, -3.7 A, -60 V, 0.055 ohm, -10 V, -1 V
(EN)
DIODES INC.
单晶体管 双极, NPN, 400 V, 50 MHz, 1 W, 225 mA, 100 hFE
(EN)
NEXPERIA
单管二极管 齐纳, 9.1 V, 400 mW, SOD-323, 2 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
VISHAY
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 12 A, 650 V, 0.33 ohm, 10 V
(EN)
