规格：工作温度最高值 150°C,
ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, 通用, PNP, -80 V, 50 MHz, 83 W, -15 A, 35 hFE
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
二极管 桥式整流, 单相, 800 V, 35 A, 模块, 1.1 V, 4 引脚
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 200 V, 180 mohm, 5 V, 2 V
(EN)
TEXAS INSTRUMENTS
晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 25 V, 0.0034 ohm, 8 V, 1.2 V
(EN)
INFINEON
双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 6.6 A, 20 V, 0.023 ohm, 4.5 V, 700 mV
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
小信号肖特基二极管, 单, 40 V, 1 A, 490 mV, 18 A, 150 °C
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
二极管 小信号, 单, 100 V, 200 mA, 1 V, 4 ns, 500 mA
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, N沟道, 125W, TO-262
(EN)
NEXPERIA
单晶体管 双极, PNP, -60 V, 145 MHz, 500 mW, -1 A, 40 hFE
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
肖特基整流器, 双共阴极, 60 V, 15 A, TO-220AB, 3 引脚, 750 mV
(EN)
MULTICOMP
快速/超快功率二极管, 单, 1 kV, 3 A, 1.7 V, 75 ns, 125 A
(EN)
VISHAY
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 15 A, 600 V, 0.23 ohm, 10 V, 2 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
单晶体管 双极, NPN, 80 V, 12.5 W, 1.5 A, 40 hFE
(EN)
NEXPERIA
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 600 mA, 20 V, 0.47 ohm, 4.5 V, 700 mV
(EN)
NEXPERIA
晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 30 V, 1.29 mohm, 10 V, 1.7 V
(EN)
ROHM
单管二极管 齐纳, AEC-Q101, 12.5 V, 1 W, DO-214AC, 2 引脚, 150 °C
(EN)
NEXPERIA
二极管 小信号, AEC-Q101, 双共阳极, 1.25 V, 4 ns, 4 A
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
快速/超快功率二极管, 单, 600 V, 8 A, 3.4 V, 25 ns, 60 A
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, 12 A, -30 V, 0.0122 ohm, -10 V, -1 V
(EN)
MULTICOMP
单管二极管 齐纳, 27 V, 1 W, DO-214AC, 2 引脚, 150 °C
(EN)
VISHAY
快速二极管, 16A, 600V, TO-220AC
(EN)
INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8.7 A, 650 V, 0.378 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
STMICROELECTRONICS
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 9 A, 800 V, 0.78 ohm, 10 V, 3.75 V
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, PNP, 20 V, 100 MHz, 1 W, 1 A, 250 hFE
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 3.3 A, 200 V, 1.5 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
