规格：工作温度最高值 150°C,
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, 11 A, -200 V, 500 mohm, -10 V, -4 V
(EN)
DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 30 V, 8.5 mohm, 10 V, 1.5 V
(EN)
MULTICOMP
齐纳二极管, 18V, 500mW, SOD-123
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 500 V, 225 mohm, 10 V, 5 V
(EN)
NEXPERIA
单管二极管 齐纳, 3 V, 300 mW, SOD-323, 5 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
NEXPERIA
肖特基整流器, 20 V, 1 A, 单, SOD-123W, 2 引脚, 450 mV
(EN)VISHAY
肖特基整流器, 100 V, 10 A, 单, TO-263, 2 引脚, 800 mV
(EN)
ROHM
单管二极管 齐纳, AEC-Q101, 19 V, 1 W, DO-214AC, 2 引脚, 150 °C
(EN)INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 15 A, 900 V, 0.28 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
NEXPERIA
单管二极管 齐纳, 24 V, 250 mW, SOT-23, 5 %, 3 引脚, 150 °C
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 30 V, 0.0028 ohm, 10 V, 1 V
(EN)
VISHAY
标准二极管, 6A, 1KV, P600
(EN)
ROHM
肖特基整流器, AEC-Q101, 45 V, 30 A, 双共阴极, TO-263, 3 引脚, 650 mV
(EN)
MULTICOMP
二极管, 标准恢复, 1A, 600V, DO-204AL-2
(EN)
TOSHIBA
晶体管, MOSFET, 功率, N沟道, 24 A, 60 V, 0.009 ohm, 10 V, 1.3 V
(EN)
MULTICOMP
单晶体管 双极, 达林顿, PNP, 80 V, 70 W, 10 A, 750 hFE
(EN)
VISHAY
肖特基整流二极管
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
达林顿双极晶体管
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 230 mA, 60 V, 1.7 ohm, 10 V, -2.8 V
(EN)
NEXPERIA
双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -160 mA, -50 V, 4.5 ohm, -10 V, -1.6 V
(EN)
TAIWAN SEMICONDUCTOR
肖特基整流器, 微型, 100 V, 1 A, 单, DO-214AA, 2 引脚, 850 mV
(EN)MULTICOMP
单晶体管 双极, 达林顿, NPN, -100 V, 80 W, 12 A, 100 hFE
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
快速/超快功率二极管, 600 V, 10 A, 双共阴极, 2.2 V, 70 ns, 50 A
(EN)
ROHM
晶体管, MOSFET, P沟道, -3 A, -12 V, 0.028 ohm, -4.5 V, -300 mV
(EN)
MULTICOMP
二极管, 超快恢复型, 215mA, 75V, SOT-363-6
(EN)
