规格：工作温度最高值 150°C,
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 60 V, 0.0021 ohm, 10 V, 1.8 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
二极管 桥式整流, 单相, 400 V, 4 A, SIP, 1 V, 4 引脚
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 60 V, 50 MHz, 15 W, 4 A, 5 hFE
(EN)
INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6 A, 650 V, 0.594 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
DIODES INC.
单晶体管 双极, PNP, 100 V, 200 MHz, 1.25 W, 2 A, 200 hFE
(EN)
MULTICOMP
场效应管, MOSFET, 双路N沟道, 60V, 4.4Ω, 115mA, SOT-363-6
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单管二极管 齐纳, 5.6 V, 500 mW, SOD-123, 5 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
NEXPERIA
单晶体管 双极, 通用, PNP, -45 V, 80 MHz, 250 mW, -500 mA, 160 hFE
(EN)
INFINEON
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 5.2 A, 20 V, 0.05 ohm, 4.5 V, 700 mV
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, P沟道, -16 A, -30 V, 5.4 mohm, -10 V, -1.8 V
(EN)
MULTICOMP
单管二极管 齐纳, 7.5 V, 1 W, DO-214AC, 2 引脚, 150 °C
(EN)
MOSPEC
快速/超快二极管, 400 V, 30 A, 双共阴极, 1.3 V, 50 ns, 250 A
(EN)
NEXPERIA
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 320 mA, 60 V, 0.9 ohm, 10 V, 1.2 V
(EN)NEXPERIA
小信号肖特基二极管, 四, 40 V, 120 mA, 1 V, 200 mA, 150 °C
(EN)
NEXPERIA
单晶体管 双极, NPN, 250 V, 60 MHz, 1.2 W, 100 mA, 50 hFE
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
单管二极管 齐纳, 7.5 V, 350 mW, SOT-23, 5 %, 3 引脚, 150 °C
(EN)
VISHAY
桥式整流器
(EN)
VISHAY
二极管, 肖特基, 10A, 40V, TO-277A-3
(EN)
VISHAY
肖特基整流器, AEC-Q101, 45 V, 7.5 A, 单, TO-263AB, 3 引脚, 570 mV
(EN)
MULTICOMP
肖特基整流器, 100 V, 20 A, 双共阴极, TO-220AB, 3 引脚, 950 mV
(EN)
TEXAS INSTRUMENTS
晶体管, MOSFET, N沟道, 35 A, 60 V, 0.0081 ohm, 10 V, 2 V
(EN)
INTERNATIONAL RECTIFIER
场效应管, MOSFET, 双N沟道, 2W, 8-SOIC
(EN)
ROHM
单管二极管 齐纳, 2 V, 500 mW, SOD-323HE, 2 引脚, 150 °C
(EN)
