规格：工作温度最高值 150°C,
INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 60 A, 650 V, 0.04 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
NEXPERIA
晶体管, MOSFET, N沟道, 2.7 A, 40 V, 0.064 ohm, 10 V, 1.6 V
(EN)
ROHM
双极晶体管阵列, 双路, NPN, 50 V, 150 mW, 150 mA, 120 hFE, SOT-363
(EN)
TAIWAN SEMICONDUCTOR
标准恢复二极管, 玻璃钝化, 单, 400 V, 800 mA, 1.3 V, 150 ns, 30 A
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 5.4 A, 400 V, 550 mohm, 10 V, 4 V
(EN)
DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 150 mA, 60 V, 5 ohm, 10 V, 2.5 V
(EN)
INTERNATIONAL RECTIFIER
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, NPN, 80 V, 3 MHz, 65 W, 6 A, 15 hFE
(EN)
MULTICOMP
单晶体管 双极, NPN, 40 V, 400 MHz, 1 W, 1.5 A, 60 hFE
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -2.1 A, -80 V, 0.148 ohm, -10 V, -1.8 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, 11 A, -40 V, 0.0075 ohm, -10 V, -3 V
(EN)
NEXPERIA
单晶体管 双极, PNP, -80 V, 145 MHz, 500 mW, -1 A, 100 hFE
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
小信号肖特基二极管, 单, 30 V, 100 mA, 530 mV, 4 A, 150 °C
(EN)
INFINEON
场效应管, MOSFET
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 14.5 A, 500 V, 0.243 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
VISHAY
标准功率二极管, 1.2 kV, 10 A, 单, 1.33 V, 80 ns, 160 A
(EN)
TAIWAN SEMICONDUCTOR
单管二极管 齐纳, 15 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 5 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.6 A, 600 V, 3.06 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
VISHAY
晶体管, P沟道
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -8 A, -20 V, 0.02 ohm, -4.5 V, -1.5 V
(EN)NEXPERIA
单晶体管 双极, PNP, 40 V, 250 mW, 1 A, 300 hFE
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
标准恢复二极管, 200 V, 3 A, 单, 1 V, 200 A
(EN)ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, NPN, 100 V, 75 W, 8 A, 100 hFE
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
晶体管, NPN, 3A, 40V, 2W, SOT-223
(EN)
TAIWAN SEMICONDUCTOR
肖特基整流器, 100 V, 1 A, 单, DO-214AC, 2 引脚, 850 mV
(EN)
