规格：工作温度最高值 150°C,
VISHAY
标准二极管, 1.5A, 100V DO-214AA
(EN)
TAIWAN SEMICONDUCTOR
二极管 桥式整流, 微型, 单相, 800 V, 500 mA, SMD, 1 V, 4 引脚
(EN)
DIODES INC.
单管二极管 齐纳, 8.2 V, 3 W, DO-214AA, 5 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
NEXPERIA
晶体管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 55 V, 150 mohm, 10 V, 3 V
(EN)
ROHM
单管二极管 齐纳, 2 V, 500 mW, SOD-323HE, 2 引脚, 150 °C
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
小信号二极管
(EN)
TAIWAN SEMICONDUCTOR
肖特基整流器, 45 V, 7.5 A, 单, TO-220AC, 2 引脚, 840 mV
(EN)
VISHAY
快速/超快功率二极管, 600 V, 15 A, 单, 1.7 V, 60 ns, 150 A
(EN)
DIODES INC.
单晶体管 双极, 达林顿, PNP, 100 V, 140 MHz, 625 mW, 800 mA, 60000 hFE
(EN)
STMICROELECTRONICS
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 600 V, 0.17 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
二极管 桥式整流, 单相, 100 V, 6 A, SIP, 1 V, 4 引脚
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单管二极管 齐纳, 4.7 V, 500 mW, SOD-123, 5 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)NEXPERIA
单晶体管 双极, PNP, -150 V, 35 MHz, 730 mW, -2 A, 180 hFE
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, NPN, 120 V, 70 W, 12 A
(EN)
TAIWAN SEMICONDUCTOR
肖特基整流器, 单, 40 V, 12 A, DO-201AD, 2 引脚, 550 mV
(EN)
VISHAY
肖特基整流器, 单, 60 V, 3 A, TO-277A, 3 引脚, 600 mV
(EN)ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, PNP, -350 V, 10 MHz, 40 W, -1 A, 10 hFE
(EN)
INTERNATIONAL RECTIFIER
晶体管, 单路, IGBT, 1.2KV, 45A
(EN)
DIODES INC.
单管二极管 齐纳, 3 V, 300 mW, SOD-523, 7 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
DIODES INC.
肖特基整流器, AEC-Q101, 单, 30 V, 2 A, PowerDI 323, 2 引脚, 600 mV
(EN)
STMICROELECTRONICS
晶体管, MOSFET, N沟道, 2.7 A, 400 V, 850 mohm, 10 V, 3.75 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
晶体管, MOSFET, N沟道, 52 A, 200 V, 0.041 ohm, 10 V, 5 V
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 400 V, 550 mohm, 10 V, 4 V
(EN)INFINEON
单晶体管, IGBT, 34 A, 1.6 V, 100 W, 600 V, TO-220AB, 3 引脚
TAIWAN SEMICONDUCTOR
标准功率二极管, 1 kV, 3 A, 单, 1 V, 125 A
(EN)
