规格：工作温度最高值 150°C,
STMICROELECTRONICS
晶体管, MOSFET, N沟道, 7 A, 200 V, 0.35 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
STMICROELECTRONICS
小信号肖特基二极管, 单, 100 V, 20 A, 850 mV, 530 A, 150 °C
(EN)
VISHAY
肖特基整流器, 单, 50 V, 8 A, DO-221BC, 2 引脚, 570 mV
(EN)
TAIWAN SEMICONDUCTOR
标准功率二极管, 1 kV, 2 A, 单, 1.3 V, 500 ns, 60 A
(EN)
DIODES INC.
单晶体管 双极, PNP, -45 V, 100 MHz, 310 mW, -500 mA, 250 hFE
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
晶体管, JFET, JFET, -35 V, 5 mA, -5 V, TO-226AA, JFET
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
晶体管, MOSFET, N沟道, 4.7 A, 500 V, 1.25 ohm, 10 V, 3.9 V
(EN)
ROHM
单晶体管 双极, AEC-Q101, PNP, -50 V, 400 MHz, 2 W, -1 A, 180 hFE
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, P沟道, -42 A, -55 V, 0.02 ohm, -10 V, -4 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
场效应管, MOSFET, N沟道, 9.5A, 20V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
桥式整流器
(EN)
VISHAY
二极管 桥式整流, 单相, 200 V, 6 A, SIP, 950 mV, 4 引脚
(EN)ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
单晶体管 双极, NPN, 60 V, 2 MHz, 75 W, 10 A, 5 hFE
(EN)
NEXPERIA
双极晶体管阵列, 通用, NPN, PNP, 40 V, 310 mW, 1.35 A, 300 hFE, SOT-457
(EN)
INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.3 A, 650 V, 0.54 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -8.8 A, -100 V, 0.162 ohm, -10 V, -1 V
(EN)
VISHAY
二极管 桥式整流, 单相, 100 V, 1.9 A, 1.1 V, 4 引脚
(EN)
NEXPERIA
单管二极管 齐纳, 3 V, 250 mW, SOT-23, 5 %, 3 引脚, 150 °C
(EN)
VISHAY
快速/超快二极管, 双共阴极, 400 V, 30 A, 1.3 V, 50 ns, 300 A
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 30 V, 0.0057 ohm, 10 V, 1.8 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
肖特基整流器, 低VF, 15 V, 25 A, 单, TO-263, 2 引脚, 450 mV
(EN)
NEXPERIA
晶体管 双极-射频, NPN, 45 V, 100 MHz, 200 mW, 100 mA, 450 hFE
(EN)
PANASONIC ELECTRONIC COMPONENTS
二极管 小信号, 双共阳极, 80 V, 150 mA, 1.2 V, 10 ns, 750 mA
(EN)ON SEMICONDUCTOR
肖特基整流器, 45 V, 10 A, 双共阴极, TO-220FP, 3 引脚, 630 mV
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
双极晶体管
(EN)
