规格：工作温度最高值 150°C,
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
单晶体管 双极, PNP, -80 V, 50 MHz, 1 W, -500 mA, 100 hFE
(EN)
DIODES INC.
单晶体管 双极, PNP, -45 V, 200 MHz, 200 mW, -100 mA, 290 hFE
(EN)
STMICROELECTRONICS
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.2 A, 950 V, 1.1 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, N沟道
(EN)
VISHAY
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 8 A, 20 V, 18 mohm, 4.5 V, 1.5 V
(EN)
VISHAY
桥式整流器, 单相, 4A, 100V 通孔安装
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
射频场效应管, JFET
(EN)
MULTICOMP
快速/超快二极管, 单, 200 V, 1 A, 1 V, 50 ns, 30 A
(EN)
DIODES INC.
单晶体管 双极, PNP, -45 V, 100 MHz, 150 mW, -100 mA, 290 hFE
(EN)
INFINEON
场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, -20A, SOIC
(EN)
DIODES INC.
肖特基整流器, POWERDI?, 单, 45 V, 10 A, PowerDI 5, 2 引脚, 510 mV
(EN)
NEXPERIA
肖特基整流器, 单, 20 V, 500 mA, SOD-882, 2 引脚, 440 mV
(EN)MULTICOMP
单晶体管 双极, 通用, PNP, 50 V, 10 MHz, 40 W, 7 A, 30 hFE
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4.8 A, 600 V, 1.8 ohm, 10 V, 3.9 V
(EN)
DIODES INC.
双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 3.7 A, 20 V, 0.027 ohm, 4.5 V, 400 mV
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
晶体管, 射频FET, 15 V, 50 mA, 200 mW, SOT-23
(EN)ROHM
二极管 小信号, 双共阴极, 80 V, 150 mA, 1 V, 4 ns, 6 A
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
晶体管, MOSFET, N沟道, 600 mA, 20 V, 0.24 ohm, 4.5 V, 1 V
(EN)
TAIWAN SEMICONDUCTOR
二极管 桥式整流, 单相, 200 V, 1 A, SMD, 1.1 V, 4 引脚
(EN)
VISHAY
晶体管, N沟道
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
单晶体管, IGBT, 63 A, 1.8 V, 208 W, 600 V, TO-247, 3 引脚
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单管二极管 齐纳, 24 V, 500 mW, SOD-123, 5 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
NEXPERIA
晶体管, MOSFET, 沟槽式, N沟道, 265 mA, 60 V, 2.1 ohm, 10 V, 1 V
(EN)VISHAY
场效应管, P通道, MOSFET, -40V, 40A
(EN)VISHAY
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7 A, 600 V, 0.5 ohm, 10 V, 2 V
(EN)
