规格：工作温度最高值 150°C,
NEXPERIA
单晶体管 双极, NPN, PNP, 40 V, 100 MHz, 200 mW, 100 mA, 120 hFE
(EN)
VISHAY
肖特基整流器, 单, 45 V, 7.5 A, TO-263, 2 引脚, 550 mV
(EN)
ROHM
单晶体管 双极, AEC-Q101, NPN, 50 V, 360 MHz, 2 W, 2 A, 180 hFE
(EN)
MULTICOMP
标准功率二极管, 800 V, 3 A, 单, 1.1 V, 100 A
(EN)
DIODES INC.
单晶体管 双极, PNP, 12 V, 300 MHz, 300 mW, 500 mA, 270 hFE
(EN)
MULTICOMP
标准功率二极管, 800 V, 2 A, 单, 1.3 V, 500 ns, 60 A
(EN)
VISHAY
肖特基整流器, 60 V, 15 A, 双共阴极, TO-220AB, 3 引脚, 620 mV
(EN)
VISHAY
快速/超快功率二极管, 单, 600 V, 15 A, 1.7 V, 60 ns, 150 A
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
二极管 小信号, 单, 200 V, 200 mA, 1 V, 50 ns, 2 A
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
功率晶体管, PNP, -100V D2-PAK
(EN)
NEXPERIA
单管二极管 齐纳, 36 V, 250 mW, SOT-23, 5 %, 3 引脚, 150 °C
(EN)
STMICROELECTRONICS
单晶体管 双极, PNP, -80 V, 1.25 W, -1.5 A, 250 hFE
(EN)
ALLEGRO SANKEN
单晶体管 双极, PNP, -160 V, 40 MHz, 130 W, -15 A, 50 hFE
(EN)
MULTICOMP
齐纳二极管, 5.1V, 500mW, SOD-123
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, P沟道, 23 A, -100 V, 117 mohm, 10 V, 4 V
(EN)
VISHAY
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.8 A, 800 V, 1.2 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
晶体管, MOSFET, P沟道, 5 A, -20 V, 47 mohm, -4.5 V, -600 mV
(EN)
STMICROELECTRONICS
小信号肖特基二极管, 单, 30 V, 8 A, 570 mV, 100 A, 150 °C
(EN)ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
标准恢复二极管, 100 V, 3 A, 单, 1.2 V, 200 A
MULTICOMP
二极管 桥式整流, 单相, 1 kV, 50 A, GBPC, 1.2 V, 4 引脚
(EN)
TEXAS INSTRUMENTS
晶体管, MOSFET, N沟道, 81 A, 25 V, 0.0041 ohm, 4.5 V, 1.8 V
(EN)ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
单晶体管, IGBT, 通用, 10 A, 600 V, 83 W, 600 V, TO-220AB, 3 引脚
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 2.4 A, 50 V, 100 mohm, 10 V, 4 V
(EN)
