规格：工作温度最高值 150°C,
ON SEMICONDUCTOR
单管二极管 齐纳, 通用, 4.7 V, 500 mW, SOD-523, 2 引脚, 150 °C
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 400 V, 200 mohm, 10 V, 4 V
(EN)
VISHAY
肖特基整流二极管, 10A, 45V, TO-220AC
(EN)
MULTICOMP
单管二极管 齐纳, 22 V, 300 mW, SOT-23, 5 %, 3 引脚, 150 °C
(EN)
VISHAY
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 5.8 A, 30 V, 0.0155 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
TAIWAN SEMICONDUCTOR
单管二极管 齐纳, 56 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 5 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
ROHM
单管二极管 齐纳, 外延平面, 36 V, 1 W, SOD-123, 2 引脚, 150 °C
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
单管二极管 齐纳, 3 V, 200 mW, SOD-323F, 5 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
VISHAY
齐纳二极管, 3.3V, 500mW, SOD-123
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 500 V, 225 mohm, 10 V, 5 V
(EN)
NXP
晶体管 双极-射频, NPN, 15 V, 9 GHz, 300 mW, 70 mA, 120 hFE
(EN)
STMICROELECTRONICS
标准恢复二极管, 单, 60 V, 20 A, 505 mV, 180 A
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 1.8 A, 100 V, 0.177 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
TEXAS INSTRUMENTS
双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -1.2 A, -20 V, 95 mohm, -4.5 V, -650 mV
(EN)
MULTICOMP
单晶体管 双极, NPN, 65 V, 100 MHz, 250 mW, 100 mA, 110 hFE
(EN)
VISHAY
二极管 小信号, 单, 50 V, 200 mA, 1 V, 4 ns
(EN)MULTICOMP
单管二极管 齐纳, 8.2 V, 300 mW, SOT-23, 5 %, 3 引脚, 150 °C
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 3.7 A, 20 V, 68 mohm, 1 V, 1 V
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, N沟道, 20V, 21A, SOIC
(EN)
ROHM
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 2 A, 30 V, 154 mohm, 4.5 V, 1.5 V
(EN)
VISHAY
快速开关二极管, 1A 600V DO-214AC
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 100 V, 7.1 mohm, 10 V, 1.2 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
单晶体管 双极, NPN, 60 V, 12.5 W, 1.5 A, 63 hFE
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
MOSFET Transistor, P Channel, -2.5 A, -30 V, 0.094 ohm, -10 V, -1.87 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
晶体管, NPN
(EN)
