规格：工作温度最高值 150°C,
MULTICOMP
二极管 桥式整流, 单相, 800 V, 50 A, 模块, 1.1 V, 4 引脚
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
单晶体管, IGBT, 通用, 75 A, 2.6 V, 463 W, 600 V, TO-247, 3 引脚
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
标准恢复二极管, 单, 200 V, 3 A, 1.25 V, 300 ns, 100 A
(EN)
NEXPERIA
肖特基整流器, 屏障, 单, 30 V, 1 A, SOD-323, 2 引脚, 560 mV
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 1.5 kV, 8 ohm, 10 V
(EN)
TOSHIBA
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 900 V, 6.4 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 35 A, 40 V, 0.0063 ohm, 10 V, 2.2 V
(EN)
INFINEON
单晶体管, IGBT, 31 A, 600 V, 139 W, 600 V, TO-220AB, 3 引脚
(EN)
NEXPERIA
晶体管, MOSFET, N沟道, 3.1 A, 60 V, 0.046 ohm, 10 V, 1.7 V
(EN)
VISHAY
MOSFET, P CHANNEL, -20V, -8A, TSOP-6
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -8 A, -20 V, 0.023 ohm, -1.8 V, -900 mV
(EN)
TAIWAN SEMICONDUCTOR
二极管 桥式整流, 玻璃钝化, 单相, 200 V, 4 A, SIP, 1 V, 4 引脚
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
单晶体管, IGBT, 35 A, 2.45 V, 298 W, 1.2 kV, TO-263AB, 3 引脚
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, N沟道
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, 3.6 A, -200 V, 1.5 ohm, -10 V, -4 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
标准恢复二极管, 45 V, 10 A, 双共阴极, 630 mV, 180 A
(EN)
VISHAY
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 4.5 A, 12 V, 0.023 ohm, 4.5 V, 400 mV
(EN)
MULTICOMP
单管二极管 齐纳, 3.9 V, 200 mW, SOD-323, 2 引脚, 150 °C
(EN)
DIODES INC.
二极管 小信号, 双路, 双系列, 80 V, 150 mA, 1.25 V, 4 ns, 4 A
(EN)DIODES INC.
单管二极管 齐纳, 排列, 3 V, 300 mW, SOT-23, 5 %, 3 引脚, 150 °C
(EN)
NEXPERIA
晶体管, MOSFET, N沟道, 350 mA, 60 V, 2.2 ohm, 10 V, 1.6 V
(EN)
NEXPERIA
单晶体管 双极, PNP, 80 V, 145 MHz, 500 mW, 1 A, 63 hFE
(EN)
MULTICOMP
双极性晶体管, NPN, 100V, 4A
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
肖特基整流器, 250 V, 40 A, 单, TO-220FP, 3 引脚, 970 mV
(EN)STMICROELECTRONICS
单晶体管 双极, NPN, 60 V, 2 W, 1 A, 75 hFE
(EN)
