规格：工作温度最高值 150°C,
MULTICOMP
单晶体管 双极, 通用, PNP, -80 V, 15 MHz, 50 W, -10 A, 60 hFE
(EN)
NEXPERIA
肖特基整流器, 单, 20 V, 500 mA, SOD-323, 2 引脚, 390 mV
(EN)
NEXPERIA
小信号肖特基二极管, 单, 70 V, 70 mA, 1 V, 100 mA, 150 °C
(EN)
MULTICOMP
快速/超快二极管, 50 V, 2 A, 单, 950 mV, 35 ns, 50 A
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 6 A, 100 V, 0.085 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
VISHAY
晶体管, JFET, JFET, 30 V, 15 mA, 15 mA, 6 V, TO-236, JFET
(EN)
VISHAY
单管二极管 齐纳, 5.1 V, 410 mW, SOD-123, 2 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)DIODES INC.
二极管阵列 齐纳, 双路, 5.1 V, 双共阳极, 300 mW, -65 °C, 150 °C, SOT-23
(EN)DIODES INC.
单管二极管 齐纳, 7.5 V, 500 mW, SOD-123, 6 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)ROHM
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 15 A, 600 V, 0.26 ohm, 10 V, 4 V
(EN)NEXPERIA
二极管 小信号, 单, 100 V, 215 mA, 1.25 V, 4 ns, 4 A
(EN)DIODES INC.
单管二极管 齐纳, 8.2 V, 500 mW, SOD-123, 6 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 500 V, 0.65 ohm, 10 V, 2 V
(EN)
INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 75 A, 650 V, 0.017 ohm, 10 V, 3.5 V
(EN)
NEXPERIA
肖特基整流器, 单, 60 V, 1 A, SOD-128, 2 引脚, 530 mV
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 19A, SOIC
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
DIODE, ZENER, 500mW, 15V, SOD-123
(EN)
VISHAY
双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -8 A, -20 V, 0.0275 ohm, -4.5 V, -1 V
(EN)
DIODES INC.
单晶体管 双极, 通用, NPN, 45 V, 100 MHz, 330 mW, 500 mA, 350 hFE
(EN)
MULTICOMP
齐纳二极管, 12V, SOD-323
(EN)ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, 音频, NPN, 80 V, 50 MHz, 70 W, 10 A, 60 hFE
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
晶体管, MOSFET, N沟道, 25 A, 250 V, 0.0363 ohm, 10 V, 3.9 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
单晶体管, IGBT, 72 A, 2.7 V, 500 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚
(EN)
