规格：工作温度最高值 150°C,
INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 12 A, 600 V, 0.297 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8.4 A, 600 V, 0.68 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
MULTICOMP
二极管 桥式整流, 单相, 100 V, 15 A, 模块, 1.1 V, 4 引脚
(EN)
ROHM
单管二极管 齐纳, 3.9 V, 500 mW, SOD-323HE, 2 引脚, 150 °C
(EN)
VISHAY
单管二极管 齐纳, 5.6 V, 200 mW, SOD-323, 5 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
TEXAS INSTRUMENTS
晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 40 V, 790 ohm, 10 V, 1.7 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
单管二极管 齐纳, 12 V, 200 mW, SOD-323F, 2 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
DIODES INC.
单晶体管 双极, NPN, 40 V, 300 MHz, 150 mW, 200 mA, 100 hFE
(EN)
MULTICOMP
标准功率二极管, 600 V, 1 A, 单, 1.1 V, 30 A
(EN)
MULTICOMP
二极管 桥式整流, 单相, 200 V, 4 A, SIP, 1.1 V, 4 引脚
(EN)
NEXPERIA
单晶体管 双极, NPN, 60 V, 150 MHz, 2.1 W, 6 A, 440 hFE
(EN)
NEXPERIA
单管二极管 齐纳, 47 V, 250 mW, SOT-23, 5 %, 3 引脚, 150 °C
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
单晶体管 双极, PNP, -150 V, 4 MHz, 25 W, -1.5 A, 40 hFE
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.1 A, 600 V, 0.98 ohm, 10 V, 3.9 V
(EN)
UNBRANDED
标准恢复二极管, 单, 1.15 V, 2 μs
(EN)
TAIWAN SEMICONDUCTOR
标准恢复二极管, 单, 400 V, 6 A, 1 V, 250 A
(EN)
NEXPERIA
双极晶体管阵列, 双NPN, 30 V, 1.3 W, 500 mA, 4000 hFE, SOT-89
(EN)INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 16.8 A, 600 V, 0.207 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
VISHAY
桥式整流器
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
晶体管, MOSFET, N沟道, 8.4 A, 30 V, 0.019 ohm, 10 V, 1.9 V
(EN)
INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.2 A, 650 V, 0.17 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
INFINEON
单晶体管, IGBT, 23 A, 2.52 V, 100 W, 600 V, TO-247AC, 3 引脚
(EN)MULTICOMP
二极管 桥式整流, 单相, 100 V, 35 A, 模块, 1.1 V, 4 引脚
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, 通用, NPN, 40 V, 300 MHz, 200 mW, 200 mA, 300 hFE
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
二极管, 软恢复, 15A 600V TO-220AC
(EN)
