规格：工作温度最高值 150°C,
NEXPERIA
单晶体管 双极, PNP, -30 V, 160 MHz, 390 mW, -2.4 A, 320 hFE
(EN)
NEXPERIA
单晶体管 双极, NPN, 45 V, 180 MHz, 500 mW, 1 A, 100 hFE
(EN)
NEXPERIA
单晶体管 双极, NPN, 80 V, 180 MHz, 420 mW, 1 A, 100 hFE
(EN)
INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 57.7 A, 600 V, 0.067 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
MULTICOMP
二极管 桥式整流, 单相, 400 V, 15 A, 模块, 1.1 V, 4 引脚
(EN)
MULTICOMP
桥式整流器, 单相, 25A, 600V 快接式
(EN)NEXPERIA
小信号肖特基二极管, 单, 20 V, 1 A, 430 mV, 9 A, 150 °C
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 8 A, 20 V, 0.0225 ohm, 10 V, 600 mV
(EN)NEXPERIA
单晶体管 双极, NPN, 45 V, 180 MHz, 420 mW, 1 A, 40 hFE
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 600 mA, 20 V, 700 mohm, 4.5 V, 1 V
(EN)
INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 21 A, 600 V, 0.15 ohm, 10 V, 3 V
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 500 V, 0.13 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 30 A, 600 V, 0.113 ohm, 10 V, 4 V
(EN)INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 46 A, 650 V, 0.04 ohm, 10 V, 3.5 V
(EN)
INTERNATIONAL RECTIFIER
晶体管, 单路, IGBT, 600V, 34A
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -6 A, -20 V, 0.031 ohm, -4.5 V, -1 V
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 8.7A, POWERPAK 1212
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
射频双极晶体管
(EN)MULTICOMP
二极管 桥式整流, 单相, 500 V, 25 A, 模块, 1.1 V, 4 引脚
(EN)
STMICROELECTRONICS
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.6 A, 800 V, 1.5 ohm, 10 V, 3.75 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
单晶体管 双极, PNP, -45 V, 150 MHz, 500 mW, -100 mA, 200 hFE
(EN)
MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
双极性晶体管, 双NPN, 45VDC, SOT-363
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 500 V, 270 mohm, 10 V, 4 V
(EN)MULTICOMP
二极管 桥式整流, 单相, 600 V, 15 A, 模块, 1.1 V, 4 引脚
(EN)
NEXPERIA
单晶体管 双极, NPN, 150 V, 33 MHz, 730 mW, 2 A, 240 hFE
(EN)
