规格：工作温度最高值 150°C,
STMICROELECTRONICS
晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 300 V, 0.033 ohm, 10 V, 3.75 V
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 550 V, 0.13 ohm, 10 V, 3 V
INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 13 A, 650 V, 0.168 ohm, 10 V, 3.5 V
(EN)
NEXPERIA
单管二极管 齐纳, 3.6 V, 300 mW, SOD-323, 5 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
MICROCHIP
晶体管, MOSFET, N沟道, 136 mA, 450 V, 20 ohm, 0 V
TAIWAN SEMICONDUCTOR
晶体管, MOSFET, N沟道, 4.9 A, 20 V, 0.027 ohm, 4.5 V, 650 mV
(EN)
NEXPERIA
单管二极管 齐纳, 24 V, 400 mW, SOD-323, 2 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
MULTICOMP
标准恢复二极管, 单, 400 V, 1 A, 1.3 V, 150 ns, 30 A
(EN)
DIODES INC.
单晶体管 双极, PNP, 60 V, 250 MHz, 1.25 W, 3 A, 200 hFE
(EN)
VISHAY
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.1 A, 1 kV, 5 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, N沟道, 600V, 47A, TO247AC-3
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 40 V, 0.0047 ohm, 10 V, 2 V
(EN)
MULTICOMP
二极管 桥式整流, 单相, 600 V, 50 A, 模块, 1.1 V, 4 引脚
(EN)
TAIWAN SEMICONDUCTOR
快速/超快二极管, 400 V, 4 A, 单, 1.35 V, 60 ns, 150 A
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 93 A, 30 V, 3.5 mohm, 10 V, 1 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 44 A, 650 V, 0.059 ohm, 10 V, 4.5 V
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, NPN, 15 V, 120 MHz, 625 mW, 3 A, 450 hFE
(EN)VISHAY
二极管 小信号, 双共阴极, 70 V, 250 mA, 1.25 V, 6 ns, 2 A
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.9 A, 600 V, 1 ohm, 10 V, 5 V
(EN)
DIODES INC.
二极管 桥式整流, 单相, 400 V, 400 mA, SMD, 1 V, 4 引脚
(EN)
INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 800 V, 0.38 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
VISHAY
二极管 小信号, 单, 100 V, 150 mA, 1.2 V, 4 ns, 350 mA
(EN)
MULTICOMP
快速/超快功率二极管, 1 kV, 3 A, 单, 1.7 V, 75 ns, 125 A
(EN)ROHM
晶体管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 45 V, 0.07 ohm, 10 V, 2.5 V
(EN)
MULTICOMP
标准恢复二极管, 100 V, 1 A, 单, 1.1 V, 30 A
(EN)
