规格：工作温度最高值 150°C,
TAIWAN SEMICONDUCTOR
二极管 桥式整流, 单相, 1 kV, 35 A, 模块, 1.1 V, 4 引脚
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 100 V, 0.004 ohm, 10 V, 2.7 V
(EN)
VISHAY
二极管 桥式整流, 单相, 600 V, 8 A, 通孔安装, 1 V, 4 引脚
(EN)
NEXPERIA
场效应管, N通道, DMOS FET, 20V, 1.05A, 3-SOT-2
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 40 V, 2.3 mohm, 10 V, 1 V
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 560 V, 0.16 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
VISHAY
二极管 桥式整流, 单相, 1.2 kV, 35 A, 模块, 1.14 V, 4 引脚
(EN)
ROHM
单管二极管 齐纳, 外延平面, 5.6 V, 150 mW, SOD-523, 2 引脚, 150 °C
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 3 mohm, 10 V, 1.8 V
(EN)MULTICOMP
二极管 桥式整流, 单相, 200 V, 25 A, 模块, 1.1 V, 4 引脚
(EN)MULTICOMP
二极管 桥式整流, 单相, 600 V, 35 A, 模块, 1.1 V, 4 引脚
(EN)
STMICROELECTRONICS
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.5 A, 800 V, 0.35 ohm, 4 V, 4 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
单晶体管 双极, NPN, 120 V, 110 MHz, 300 mW, 50 mA, 300 hFE
(EN)
DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 180 mA, 200 V, 10 ohm, 5 V, 1.5 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
达林顿双极晶体管
(EN)ROHM
单管二极管 齐纳, 外延平面, 20 V, 150 mW, SOD-523, 2 引脚, 150 °C
(EN)
INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 12 A, 600 V, 0.22 ohm, 10 V, 3 V
(EN)MULTICOMP
二极管 桥式整流, 单相, 200 V, 35 A, 模块, 1.1 V, 4 引脚
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, PNP, -80 V, 40 MHz, 2 W, -10 A, 40 hFE
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, NPN, 160 V, 225 mW, 600 mA, 30 hFE
(EN)STMICROELECTRONICS
晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 550 V, 250 mohm, 10 V, 4 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
晶体管, N沟道
(EN)
FUJI ELECTRIC
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 30 A, 600 V, 0.106 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
