规格：工作温度最高值 150°C,
FUJI ELECTRIC
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 30 A, 600 V, 0.106 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 16.7 A, 800 V, 0.25 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 800 V, 0.24 ohm, 10 V, 3 V
(EN)INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 650 V, 0.34 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
ROHM
单管二极管 齐纳, AEC-Q101, SOD-323, 2 引脚, 150 °C
(EN)
DIODES INC.
单晶体管 双极, PNP, -45 V, 200 MHz, 300 mW, -100 mA, 330 hFE
(EN)
ROHM
单管二极管 齐纳, 外延平面, 4.7 V, 150 mW, SOD-523, 2 引脚, 150 °C
(EN)ON SEMICONDUCTOR
肖特基整流器, 100 V, 20 A, 双共阴极, TO-220AB, 3 引脚, 830 mV
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -2.2 A, -80 V, 0.216 ohm, -10 V, -4 V
(EN)
STMICROELECTRONICS
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 600 V, 0.35 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
单晶体管, IGBT, 60 A, 2.9 V, 180 W, 1 kV, TO-264, 3 引脚
(EN)
MULTICOMP
二极管 桥式整流, 单相, 200 V, 50 A, 模块, 1.1 V, 4 引脚
(EN)ON SEMICONDUCTOR
标准恢复二极管, 60 V, 40 A, 双共阴极, 810 mV, 240 A
(EN)
VISHAY
肖特基整流器, 单, 45 V, 16 A, ITO-220AC, 2 引脚, 630 mV
(EN)
VISHAY
二极管 桥式整流, 单相, 1 kV, 2 A, SIP, 1 V, 4 引脚
(EN)
MULTICOMP
标准恢复二极管, 100 V, 3 A, 单, 1.3 V, 150 ns, 100 A
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 65 A, 650 V, 0.0354 ohm, 10 V, 4.5 V
(EN)INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 13 A, 600 V, 0.155 ohm, 10 V, 3.5 V
(EN)
MULTICOMP
快速/超快二极管, 50 V, 1 A, 单, 1 V, 50 ns, 30 A
(EN)
VISHAY
单管二极管 齐纳, AEC-Q101, 20 V, 3 W, DO-214AC, 5 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 75 A, 650 V, 0.0195 ohm, 10 V, 4.5 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 18.4 A, 100 V, 0.0073 ohm, 10 V, 1.5 V
(EN)MULTICOMP
单晶体管 双极, PNP, -65 V, 100 MHz, 250 mW, -100 mA, 125 hFE
(EN)
