规格：工作温度最高值 150°C,
STMICROELECTRONICS
Power MOSFET, N Channel, 66 A, 600 V, 0.037 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
快速恢复二极管, 1A, 600V, DO-41
(EN)
NEXPERIA
单管二极管 齐纳, 9.1 V, 250 mW, SOT-23, 1 %, 3 引脚, 150 °C
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 46 A, 200 V, 0.055 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
齐纳二极管
(EN)
MULTICOMP
单晶体管 双极, 通用, NPN, 100 V, 125 W, 25 A, 25 hFE
(EN)
MULTICOMP
单管二极管 齐纳, 24 V, 300 mW, SOT-23, 5 %, 3 引脚, 150 °C
(EN)NEXPERIA
单管二极管 齐纳, 7.5 V, 550 mW, SOD-323F, 5 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
单晶体管, IGBT, FS沟槽, 10 A, 2.9 V, 69 W, 1.2 kV, TO-252, 3 引脚
(EN)
MULTICOMP
二极管 桥式整流, GSIB系列, 单相, 100 V, 15 A, SIP, 1.1 V, 4 引脚
(EN)
INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.3 A, 700 V, 0.54 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
肖特基整流二极管
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, N沟道, 600V, 73A, TO-247AC-3
(EN)
VISHAY
二极管 桥式整流, 单相, 400 V, 35 A, 模块, 1.14 V, 4 引脚
(EN)
INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 650 V, 0.34 ohm, 10 V, 3 V
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 200 V, 400 mohm, 10 V, 4 V
(EN)
INFINEON
场效应管, MOSFET
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单晶体管, IGBT, 24 A, 1.4 V, 54 W, 600 V, TO-3PF, 3 引脚
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
晶体管, IGBT, 1.4V, 24A, TO-3PF-3
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
晶体管, MOSFET, N沟道, 59 A, 300 V, 0.047 ohm, 10 V, 5 V
(EN)INFINEON
单晶体管, IGBT, 40 A, 2.35 V, 215 W, 600 V, TO-220AB, 3 引脚
(EN)
VISHAY
双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 305 mA, 60 V, 1.4 ohm, 10 V, 2.5 V
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 18.1 A, 500 V, 0.25 ohm, 13 V, 3 V
(EN)
NEXPERIA
小信号肖特基二极管, 单, 4 V, 30 mA, 600 mV, 150 °C
(EN)
TAIWAN SEMICONDUCTOR
标准功率二极管, 600 V, 1 A, 单, 1.3 V, 250 ns, 30 A
(EN)
