规格：工作温度最高值 150°C,
TAIWAN SEMICONDUCTOR
二极管 桥式整流, 玻璃钝化, 单相, 800 V, 8 A, SIP, 1 V, 4 引脚
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, PNP, 375 V, 10 MHz, 2 W, 1 A, 10 hFE
(EN)
NEXPERIA
单晶体管 双极, PNP, -20 V, 85 MHz, 770 mW, -6.6 A, 400 hFE
(EN)
TAIWAN SEMICONDUCTOR
快速/超快二极管, 300 V, 2 A, 单, 1.3 V, 50 ns, 60 A
(EN)TEXAS INSTRUMENTS
晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 40 V, 0.0055 ohm, 10 V, 1.9 V
(EN)
VISHAY
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.1 A, 1 kV, 5 ohm, 10 V, 4 V
(EN)ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, 音频, PNP, -120 V, 30 Hz, 50 W, -8 A, 40 hFE
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, N沟道, 600V, 21A, TO-220AB-3
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
单晶体管 双极, PNP, -30 V, 150 MHz, 500 mW, -100 mA, 200 hFE
(EN)
DIODES INC.
晶体管, MOSFET, AEC-Q101, N沟道, 4.2 A, 20 V, 0.09 ohm, 4.5 V, 1 V
(EN)
INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 800 V, 0.24 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
VISHAY
二极管 桥式整流, 单相, 400 V, 4 A, SIP, 1 V, 4 引脚
(EN)
NEXPERIA
单晶体管 双极, PNP, -150 V, 115 MHz, 520 mW, -1 A, 220 hFE
(EN)
MULTICOMP
单晶体管 双极, 通用, PNP, 100 V, 3 MHz, 125 W, 25 A, 25 hFE
(EN)
VISHAY
齐纳二极管, 2.7V, 300mW, SOT-23
(EN)
MULTICOMP
快速/超快二极管, 200 V, 2 A, 单, 950 mV, 35 ns, 50 A
(EN)INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.3 A, 600 V, 0.54 ohm, 10 V, 3 V
(EN)ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
单晶体管 双极, NPN, 100 V, 3 MHz, 65 W, 6 A, 15 hFE
(EN)
NEXPERIA
二极管 小信号, 单, 100 V, 215 mA, 1.25 V, 4 ns, 4 A
(EN)
DIODES INC.
双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -6.9 A, -30 V, 0.045 ohm, -10 V, 1.7 V
(EN)
PANASONIC ELECTRONIC COMPONENTS
单管二极管 齐纳, 6.8 V, 150 mW, SOD-523, 2 引脚, 150 °C
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 18.5 A, 600 V, 380 mohm, 10 V, 5 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 500 V, 270 mohm, 10 V, 4 V
(EN)
VISHAY
双路场效应管, MOSFET, N沟道, 305 mA, 60 V, 1.4 ohm, 10 V, 2 V
(EN)
VISHAY
输入二极管, 10A, 800V, TO-220AC
(EN)
