规格：工作温度最高值 150°C,
ALLEGRO SANKEN
单晶体管 双极, 达林顿, PNP, 150 V, 50 MHz, 100 W, 10 A, 5000 hFE
(EN)
WOLFSPEED
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11.5 A, 900 V, 0.28 ohm, 15 V, 2.1 V
(EN)
DIODES INC.
单管二极管 齐纳, 精准, 10 V, 500 mW, SOD-123, 5 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 4.6 A, 30 V, 0.031 ohm, 10 V, 1 V
(EN)
MULTICOMP
肖特基整流器, 60 V, 10 A, 双共阴极, TO-220AB, 3 引脚, 900 mV
(EN)STMICROELECTRONICS
单晶体管, IGBT, 25 A, 2.5 V, 80 W, 600 V, TO-220, 3 引脚
(EN)
VISHAY
二极管 桥式整流, 单相, 400 V, 2 A, SIP, 1 V, 4 引脚
(EN)
NEXPERIA
小信号肖特基二极管, 双共阴极, 70 V, 70 mA, 1 V, 100 mA, 150 °C
(EN)
VISHAY
二极管 桥式整流, 单相, 600 V, 25 A, 模块, 1.1 V, 4 引脚
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
肖特基整流器, 单, 50 V, 3 A, DO-201AD, 2 引脚, 740 mV
(EN)
ROHM
肖特基整流器, 30 V, 1 A, 单, SOD-323HE, 2 引脚, 470 mV
(EN)
VISHAY
晶体管, P沟道
(EN)
STMICROELECTRONICS
单晶体管, IGBT, 60 A, 2.75 V, 220 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, NPN, 100 V, 25 MHz, 20 W, 2 A, 200 hFE
(EN)
MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
齐纳二极管, 500mW, 2.5V, DO-35
(EN)
TEXAS INSTRUMENTS
晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 30 V, 0.0032 ohm, 10 V, 1.3 V
(EN)
DIODES INC.
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 305 mA, 50 V, 2 ohm, 5 V, 1 V
(EN)ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 23.5 A, 600 V, 240 mohm, 10 V, 5 V
(EN)
ROHM
单管二极管 齐纳, 6.8 V, 100 mW, SOD-923, 2 引脚, 150 °C
(EN)
MULTICOMP
齐纳二极管, 12V, 500mW, SOD-123
(EN)
NEXPERIA
单晶体管 双极, 通用, PNP, 45 V, 250 mW, 100 mA, 150 hFE
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 100 V, 40 W, 4 A, 750 hFE
(EN)
SEMELAB
晶体管, MOSFET, P沟道, 8 A, -160 V, 1.5 ohm, -1.5 V
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 550 V, 0.22 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
VISHAY
二极管 桥式整流, 单相, 1 kV, 8 A, 通孔安装, 1 V, 4 引脚
(EN)
