规格：工作温度最高值 150°C,
VISHAY
MOSFET, N CHANNEL, 12V, 35A, POWERPAK 1212-8
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -4.7 A, -60 V, 0.1 ohm, -10 V, -3 V
(EN)
VISHAY
输入二极管, 20A, 1.2KV, TO-220AC
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 30 V, 0.01 ohm, 10 V, 1.6 V
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, N沟道
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, 音频, NPN, 250 V, 4 MHz, 200 W, 16 A, 75 hFE
(EN)
VISHAY
齐纳二极管, 36V, 500mW, SOD-123
(EN)
STMICROELECTRONICS
晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 500 V, 250 mohm, 10 V, 4 V
(EN)
NEXPERIA
单晶体管 双极, PNP, -80 V, 145 MHz, 650 mW, -1 A, 100 hFE
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 53 A, 30 V, 0.0067 ohm, 10 V, 2.2 V
(EN)
NEXPERIA
单管二极管 齐纳, 15 V, 250 mW, SOT-23, 2 %, 3 引脚, 150 °C
(EN)
MULTICOMP
标准恢复二极管, 玻璃钝化, 单, 100 V, 1 A, 1.1 V, 30 A
(EN)STMICROELECTRONICS
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 0.135 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
ROHM
单管二极管 齐纳, 外延平面, 9.1 V, 200 mW, SOD-323F, 2 引脚, 150 °C
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
双极性晶体管, NPN, HFE 63
(EN)NEXPERIA
二极管 小信号, 单, 110 V, 250 mA, 1.25 V, 50 ns, 10 A
(EN)
PANASONIC ELECTRONIC COMPONENTS
单管二极管 齐纳, 6.2 V, 200 mW, SOD-323F, 2 引脚, 150 °C
(EN)
INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 37.9 A, 600 V, 0.089 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
ROHM
标准恢复二极管, AEC-Q101, 单, 400 V, 2 A, 1.1 V, 50 A
(EN)
VISHAY
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 1.5 A, 20 V, 0.18 ohm, 4.5 V, 400 mV
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, N沟道, 600V, 21A, TO-247AC-3
(EN)
DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 3.8 A, 70 V, 130 mohm, 10 V, 1 V
(EN)
NEXPERIA
单晶体管 双极, PNP, -20 V, 140 MHz, 500 mW, -1 A, 160 hFE
(EN)
