规格：工作温度最高值 150°C,
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 17.2 A, 30 V, 5.6 mohm, 10 V, 2.2 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单管二极管 齐纳, 通用, 6.2 V, 3.2 W, DO-216AA, 2 引脚, 150 °C
(EN)
ROHM
单晶体管 双极, 高速, NPN, 30 V, 320 MHz, 500 mW, 1 A, 270 hFE
(EN)
TAIWAN SEMICONDUCTOR
二极管 桥式整流, 单相, 800 V, 50 A, 模块, 1.1 V, 4 引脚
(EN)
VISHAY
齐纳二极管, 15V, 225mW, SOT-23
(EN)
TAIWAN SEMICONDUCTOR
标准功率二极管, 单, 800 V, 500 mA, 1.3 V, 500 ns, 10 A
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, 4A, TO-236
(EN)
STMICROELECTRONICS
晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 500 V, 0.34 ohm, 10 V, 3.75 V
(EN)
MULTICOMP
二极管 桥式整流, 单相, 50 V, 1 A, SMD, 1.1 V, 4 引脚
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, PNP, -80 V, 50 MHz, 1.5 W, -1.5 A, 63 hFE
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
双极性晶体管, PNP, -350V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -12 A, -20 V, 0.025 ohm, -4.5 V, -400 mV
(EN)
VISHAY
二极管 桥式整流, 单相, 800 V, 35 A, 模块, 1.1 V, 4 引脚
(EN)
TEXAS INSTRUMENTS
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 15 A, 60 V, 0.0125 ohm, 10 V, 3 V
(EN)DIODES INC.
单管二极管 齐纳, 12 V, 300 mW, SOT-23, 5 %, 3 引脚, 150 °C
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 600 V, 2 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
VISHAY
二极管 桥式整流, 单相, 100 V, 8 A, SIP, 1 V, 4 引脚
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 5.4 A, 100 V, 39 mohm, 10 V, 4 V
(EN)
VISHAY
二极管 桥式整流, 单相, 1 kV, 20 A, SIP, 1.05 V, 4 引脚
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
单晶体管 双极, NPN, 250 V, 30 MHz, 150 W, 17 A, 35 hFE
(EN)
INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 37.9 A, 600 V, 0.09 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
达林顿双极晶体管
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, PNP, -100 V, 125 W, -10 A, 500 hFE
(EN)
TAIWAN SEMICONDUCTOR
标准恢复二极管, 50 V, 2 A, 单, 1.1 V, 60 A
(EN)
