规格：工作温度最高值 150°C,
MULTICOMP
标准恢复二极管, 400 V, 3 A, 单, 1.1 V, 100 A
(EN)MULTICOMP
标准功率二极管, 600 V, 3 A, 单, 1.1 V, 100 A
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 6 A, 400 V, 0.85 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
RENESAS
晶体管, MOSFET, N沟道, 1.5 A, 60 V, 0.173 ohm, 4.5 V
(EN)MULTICOMP
标准恢复二极管, 200 V, 3 A, 单, 1.1 V, 100 A
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
晶体管, MOSFET, N沟道, 61 A, 200 V, 0.034 ohm, 10 V, 5 V
(EN)
VISHAY
齐纳二极管, 27V, 500mW, SOD-123
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, NPN, 30 V, 100 MHz, 710 mW, 1 A, 200 hFE
(EN)
NEXPERIA
肖特基整流器, 单, 30 V, 500 mA, SOD-123F, 2 引脚, 430 mV
(EN)
TEXAS INSTRUMENTS
晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 25 V, 4.4 mohm, 4.5 V, 1.1 V
(EN)
NTE ELECTRONICS
整流桥
(EN)
MULTICOMP
标准恢复二极管, 400 V, 1 A, 单, 1.3 V, 150 ns, 30 A
(EN)
INTERNATIONAL RECTIFIER
场效应管, P通道, MOSFET, -100V, 13A, D-PAK
(EN)
NEXPERIA
双极晶体管阵列, BISS 负载开关, NPN, PNP, 40 V, 200 mW, -500 mA, 200 hFE, SOT-363
(EN)
TAIWAN SEMICONDUCTOR
快速/超快二极管, 单, 400 V, 3 A, 1.3 V, 35 ns, 125 A
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 9.6 A, 60 V, 0.009 ohm, 10 V, 4 V
(EN)STMICROELECTRONICS
小信号肖特基二极管, 单, 100 V, 20 A, 850 mV, 530 A, 150 °C
(EN)
STMICROELECTRONICS
小信号肖特基二极管, 双共阴极, 120 V, 40 A, 830 mV, 210 A, 150 °C
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, NPN, 100 V, 125 W, 10 A, 500 hFE
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
单管二极管 齐纳, 5.1 V, 200 mW, SOD-323F, 5 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
IXYS SEMICONDUCTOR
标准功率二极管, 单, 1.2 kV, 30 A, 630 mV, 300 A
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, 6 A, -30 V, 0.025 ohm, -10 V, -1.7 V
(EN)
INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 36 A, 900 V, 0.1 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
VISHAY
整流桥
(EN)
