规格：工作温度最高值 150°C,
MULTICOMP
肖特基整流器, 双共阴极, 60 V, 10 A, TO-220AB, 3 引脚, 900 mV
(EN)
VISHAY
单管二极管 齐纳, 3.6 V, 2.3 W, DO-219AB, 5 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 36 A, 500 V, 130 mohm, 10 V, 4 V
(EN)
INFINEON
单晶体管, IGBT, 41 A, 2.43 V, 160 W, 1.2 kV, TO-247AC, 3 引脚
(EN)
DIODES INC.
单管二极管 齐纳, MMSZ52系列, 2.4 V, 500 mW, SOD-123, 5 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10 A, 600 V, 0.65 ohm, 10 V, 3.9 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, NPN, 60 V, 125 W, 10 A, 500 hFE
(EN)
MULTICOMP
二极管 桥式整流, 单相, 1 kV, 1 A, SMD, 1.1 V, 4 引脚
(EN)
NTE ELECTRONICS
射频双极性晶体管
(EN)TOSHIBA
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8 A, 900 V, 1.3 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
INFINEON
二极管, 射频/PIN, AEC-Q101, SC-79, 2引脚
VISHAY
二极管 桥式整流, 单相, 600 V, 25 A, SIP, 1.05 V, 4 引脚
(EN)
NEXPERIA
单晶体管 双极, PNP, -400 V, 30 MHz, 730 mW, -500 mA, 155 hFE
(EN)
ROHM
肖特基整流器, 100 V, 10 A, 双共阴极, TO-252, 3 引脚, 870 mV
(EN)INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 800 V, 0.25 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单管二极管 齐纳, 通用, 12 V, 500 mW, SOD-523, 2 引脚, 150 °C
(EN)VISHAY
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4.7 A, 900 V, 2.5 ohm, 10 V, 4 V
(EN)INFINEON
单晶体管, IGBT, 40 A, 2.35 V, 220 W, 600 V, TO-247AC, 3 引脚
(EN)TAIWAN SEMICONDUCTOR
肖特基整流器, 45 V, 15 A, 双共阴极, TO-220AB, 3 引脚, 840 mV
(EN)STMICROELECTRONICS
单晶体管 双极, NPN, 100 V, 30 W, 1 A, 75 hFE
(EN)
NEXPERIA
单晶体管 双极, PNP, -30 V, 100 MHz, 250 mW, -100 mA, 220 hFE
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
晶体管, NPN
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
单晶体管 双极, NPN, 65 V, 300 MHz, 500 mW, 100 mA, 110 hFE
(EN)
NEXPERIA
双极晶体管阵列, NPN, 45 V, 380 mW, 100 mA, 290 hFE, SOT-457
(EN)NEXPERIA
单管二极管 齐纳, 11 V, 250 mW, SOT-23, 5 %, 3 引脚, 150 °C
(EN)
