规格：工作温度最高值 150°C,
NEXPERIA
单管二极管 齐纳, 4.3 V, 250 mW, SOT-23, 5 %, 3 引脚, 150 °C
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 1.7 A, 400 V, 3.6 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -3.9 A, -20 V, 0.041 ohm, -2.5 V, -1.4 V
(EN)
STMICROELECTRONICS
肖特基整流器, 双共阴极, 45 V, 7.5 A, TO-252, 3 引脚, 520 mV
(EN)
STMICROELECTRONICS
晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 300 V, 37 mohm, 10 V, 3 V
(EN)
MULTICOMP
单晶体管 双极, 达林顿, PNP, -60 V, 50 W, -2 A, 1000 hFE
(EN)
NEXPERIA
单晶体管 双极, 通用, NPN, 65 V, 100 MHz, 250 mW, 100 mA, 200 hFE
(EN)
TAIWAN SEMICONDUCTOR
快速/超快二极管, 单, 500 V, 1 A, 1.7 V, 35 ns, 30 A
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 18.5 A, 500 V, 0.17 ohm, 13 V, 3 V
(EN)
VISHAY
二极管 桥式整流, 单相, 400 V, 4 A, SIP, 1.1 V, 4 引脚
(EN)
VISHAY
二极管 桥式整流, 单相, 200 V, 35 A, 模块, 1.1 V, 4 引脚
(EN)
MULTICOMP
标准恢复二极管, 200 V, 2 A, 单, 1.1 V, 60 A
(EN)
ROHM
单管二极管 齐纳, 外延平面, 3.6 V, 150 mW, SOD-523, 2 引脚, 150 °C
(EN)
MULTICOMP
桥接整流器, 单相, 35A, 800
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, N沟道
(EN)
ROHM
肖特基整流器, 60 V, 2 A, 单, SOD-123FL, 2 引脚, 610 mV
(EN)
VISHAY
肖特基整流器, 双共阴极, 100 V, 60 A, TO-263AC, 3 引脚, 810 mV
(EN)ROHM
单管二极管 齐纳, 3 V, 500 mW, SOD-323HE, 2 引脚, 150 °C
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
单晶体管 双极, NPN, 40 V, 300 MHz, 625 mW, 600 mA, 35 hFE
(EN)
MULTICOMP
二极管 桥式整流, 单相, 400 V, 25 A, GBPC, 1.2 V, 4 引脚
(EN)
INFINEON
场效应管, MOSFET, 双N沟道, 2W, 8-SOIC
(EN)
VISHAY
双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 7.6 A, 12 V, 0.014 ohm, 4.5 V, 1.5 V
(EN)
MULTICOMP
二极管 小信号, 双隔离, 75 V, 200 mA, 1.25 V, 6 ns, 2 A
(EN)VISHAY
二极管 小信号, 双系列, 300 V, 225 mA, 1 V, 50 ns, 4 A
(EN)
