规格：工作温度最高值 150°C,
ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 30 V, 0.004 ohm, 10 V, 800 mV
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 400 V, 0.15 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
NEXPERIA
双极晶体管阵列, 通用, NPN, PNP, 50 V, 180 mW, 150 mA, 250 hFE, SOT-363
(EN)
STMICROELECTRONICS
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 58 A, 650 V, 0.037 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
MULTICOMP
标准功率二极管, 单, 1 kV, 3 A, 1.3 V, 500 ns, 100 A
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单管二极管 齐纳, 通用, 7.5 V, 3 W, DO-214AA, 5 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 100 V, 60 mohm, 10 V, 5.5 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 500 V, 0.4 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
NEXPERIA
单管二极管 齐纳, 5.6 V, 400 mW, SOD-323, 2 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
STMICROELECTRONICS
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 13 A, 600 V, 0.26 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
MULTICOMP
肖特基整流器, 单, 45 V, 10 A, TO-220AC, 2 引脚, 700 mV
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 20A, SOIC
(EN)
ROHM
单晶体管 双极, AEC-Q101, NPN, 30 V, 250 MHz, 2 W, 5 A, 200 hFE
(EN)ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 100 V, 125 W, 10 A, 1000 hFE
(EN)
MULTICOMP
单晶体管 双极, NPN, 80 V, 15 MHz, 50 W, 10 A, 60 hFE
(EN)
VISHAY
二极管 桥式整流, 单相, 1 kV, 25 A, 模块, 1.1 V, 4 引脚
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
单晶体管 双极, PNP, -160 V, 175 MHz, 20 W, -1.2 A, 160 hFE
(EN)
VISHAY
MOSFET, N CHANNEL, 40V, 50A, POLARPAK-10
(EN)
TAIWAN SEMICONDUCTOR
标准恢复二极管, 400 V, 3 A, 单, 1 V, 150 A
(EN)TAIWAN SEMICONDUCTOR
标准恢复二极管, 100 V, 1 A, 单, 1.2 V, 200 ns, 30 A
(EN)
NEXPERIA
小信号肖特基二极管, 单, 60 V, 1 A, 650 mV, 17.5 A, 150 °C
(EN)ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, NPN, 60 V, 2 MHz, 40 W, 4 A, 2 hFE
(EN)ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
单晶体管, IGBT, 60 A, 1.9 V, 208 W, 600 V, TO-247, 3 引脚
(EN)VISHAY
标准恢复二极管, 单, 200 V, 1.5 A, 1.3 V, 150 ns, 50 A
(EN)
