规格：工作温度最高值 150°C,
MULTICOMP
二极管 小信号, 单, 300 V, 150 mA, 1 V, 4 ns, 400 mA
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
标准恢复二极管, 200 V, 3 A, 单, 1.2 V, 200 A
(EN)
MULTICOMP
二极管, 标准恢复, 140mA, 85V, SOT-323
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
场效应管, MOSFET, N沟道, 200V, 52A, TO-220
(EN)
DIODES INC.
单晶体管 双极, NPN, 300 V, 75 MHz, 500 mW, 500 mA, 100 hFE
(EN)
MULTICOMP
二极管 桥式整流, GBPC15,25,35xW系列, 单相, 400 V, 25 A, 模块, 1.1 V, 4 引脚
(EN)
INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 25 A, 650 V, 0.11 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
IXYS SEMICONDUCTOR
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 14 A, 1 kV, 900 mohm, 10 V, 5 V
(EN)
MULTICOMP
桥式整流器, 单相, 25A, 200V 快接式
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单管二极管 齐纳, 2.4 V, 500 mW, SOD-123, 5 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
ROHM
快速/超快二极管, 350 V, 10 A, 单, 1.5 V, 30 ns, 80 A
(EN)
MULTICOMP
标准功率二极管, 1 kV, 3 A, 单, 1.3 V, 500 ns, 100 A
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, 12A, SC-70
(EN)
MULTICOMP
小信号肖特基二极管, 双系列, 70 V, 70 mA, 1 V, 100 mA, 150 °C
(EN)STMICROELECTRONICS
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.1 A, 900 V, 6.5 ohm, 10 V, 3.75 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 250 V, 0.32 ohm, 10 V, 4.5 V
(EN)
TAIWAN SEMICONDUCTOR
标准恢复二极管, 100 V, 2 A, 单, 1.3 V, 150 ns, 60 A
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 1.2 A, 150 V, 0.31 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
STMICROELECTRONICS
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10 A, 600 V, 0.65 ohm, 10 V, 3.75 V
(EN)
NEXPERIA
双极晶体管阵列, PNP, 45 V, 200 mW, -100 mA, 290 hFE, SOT-666
(EN)
MULTICOMP
二极管 桥式整流, 单相, 600 V, 35 A, GBPC, 1.2 V, 4 引脚
(EN)ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
单晶体管, IGBT, 通用, 120 A, 600 V, 378 W, 600 V, TO-247AB, 3 引脚
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6 A, 900 V, 1.93 ohm, 10 V, 5 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
肖特基整流器, 5A, 40V, D-PACK
(EN)
NEXPERIA
单晶体管 双极, NPN, 60 V, 180 MHz, 1.65 W, 1 A, 100 hFE
(EN)
