规格：工作温度最高值 150°C,
MULTICOMP
标准功率二极管, 1 kV, 3 A, 单, 1.3 V, 500 ns, 125 A
(EN)
INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 39 A, 600 V, 0.068 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
双极性晶体管, NPN, 250V, TO-220
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
晶体管, MOSFET, N沟道
(EN)
NTE ELECTRONICS
双极性晶体管, PNP, -80V TO-92
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
标准功率二极管, 单, 600 V, 3 A, 1.2 V, 2.5 μs, 100 A
(EN)
STMICROELECTRONICS
小信号肖特基二极管, 单, 100 V, 30 A, 800 mV, 300 A, 150 °C
(EN)
TOSHIBA
单晶体管 双极, NPN, 230 V, 30 MHz, 150 W, 15 A, 160 hFE
(EN)
VISHAY
整流桥
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
单晶体管 双极, NPN, 45 V, 300 MHz, 500 mW, 100 mA, 200 hFE
(EN)
NEXPERIA
单晶体管 双极, 通用, NPN, 32 V, 250 MHz, 250 mW, 100 mA, 380 hFE
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 230 mA, 60 V, 1.7 ohm, 10 V, -2.8 V
(EN)
DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 1.1 A, 30 V, 240 mohm, 10 V, 3 V
(EN)
TAIWAN SEMICONDUCTOR
肖特基整流器, 100 V, 10 A, 双共阴极, TO-220AB, 3 引脚, 950 mV
(EN)
DIODES INC.
二极管 小信号, 单, 100 V, 400 mA, 1.25 V, 50 ns, 2.5 A
(EN)
NEXPERIA
单晶体管 双极, PNP, 80 V, 145 MHz, 650 mW, 1 A, 63 hFE
(EN)ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 80 V, 70 W, 10 A, 750 hFE
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8 A, 1 kV, 1.2 ohm, 10 V, 5 V
(EN)
INFINEON
单晶体管, IGBT, N通道, 40 A, 2.36 V, 160 W, 600 V, TO-262, 3 引脚
(EN)WOLFSPEED
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 31.6 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, 20 V, 3.2 V
(EN)TAIWAN SEMICONDUCTOR
单管二极管 齐纳, 20 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 5 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 34 A, 150 V, 0.0122 ohm, 10 V, 5 V
(EN)VISHAY
整流桥
(EN)VISHAY
整流桥
(EN)
MULTICOMP
齐纳二极管, 10V, 500mW, SOD-123
(EN)
